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RAM


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ESSENCORE (SK하이닉스 사용)
KLEVV DDR5-7600 CL36 CRAS V RGB WHITE
[2]

1. 개요2. 용어에 대한 오해3. 휘발성과 비휘발성4. 플래시 메모리와의 차이점5. 디스크 페이징 관련6. RAM의 성능7. 용량에 따른 설명 (PC 기준)
7.1. 4 GB 이상~16 GB 미만7.2. 16 GB 이상~64 GB 미만7.3. 64 GB 이상
8. 논리적 용도별 종류
8.1. 메인 메모리8.2. 버퍼 메모리8.3. 캐시 메모리8.4. 램 디스크
9. 물리적 특성별 종류
9.1. 휘발성 RAM9.2. 비휘발성 RAM
9.2.1. MRAM9.2.2. STT-MRAM9.2.3. PRAM9.2.4. RRAM (ReRAM)9.2.5. FRAM (FeRAM)
9.3. 사용 단자
10. 가격11. 주소할당 문제12. 관리
12.1. 장착12.2. 수리
13. 기타14. 관련 문서15. 둘러보기

1. 개요

컴퓨터 메모리는 어떻게 작동하나요? 💻🛠

Random Access Memory (RAM)
임의 접근 기억장치

사용자가 자유롭게 내용을 읽고 쓰고 지울 수 있는 기억장치. 컴퓨터가 켜지는 순간부터 CPU는 연산을 하고 동작에 필요한 모든 내용이 전원이 유지되는 내내 이 기억장치에 저장된다.[3] '주기억장치'로 분류되며 보통 램이 많으면 한번에 많은 일을 할 수 있기에 '책상'에 비유되곤 한다. 책상이 넓으면 그 위에 여러 가지 물품을 올려놓을 수 있고, 이후 그 물품을 다시 회수하면 그 물품이 있었다는 기록은 사라지기 때문이다.[4]

2. 용어에 대한 오해

RAM이 '임의 접근'할 수 있는 메모리이므로 HDD 등의 장치들도 RAM의 범주에 들어가며[5], 우리가 통상 이해하는 읽고 쓸 수 있는 주 기억 장치(메모리)만을 RAM이라 부르는 것은 틀린 것이라고 오해하는 경우가 있다.

하지만 Random Access 용어 안에 어느 위치에든 똑같은 속도로 접근하여 읽고 쓸 수 있다는 의미의 구별실익이 있으므로 FDDODD, HDD 같은 경우는 RAM의 범주에 넣지 않는다. ROM도 접근 위치와 상관없이 같은 속도로 데이터를 읽을 수 있으므로 RAM의 하위분류로 본다.[6] HDD 등의 기억장치와 같이 어느 위치에나 직접 접근할 수 있으나 데이터의 물리적 위치에 따라 읽고 쓰는 시간에 차이가 발생하게 되는 기억장치들은 Direct Access Memory 또는 Direct Access Data Storage라고 부른다.

한편, CP/MMS-DOS의 시스템 호출 함수에서의 임의 접근은 FDD, ODD, HDD를 포함한다. 하지만 그때는 카세트 테이프 같은 순차 접근 저장 장치에 사용하는 순차 접근 개념에 대응하는 말로 쓴 것이다. RAM은 주 기억 장치로만 취급되었을 뿐이지, 보조 기억 장치와 같은 그룹으로 취급된 적은 없다.

물론 SSD를 필두로 한 플래시 메모리 보조 기억 장치의 등장으로 혼란이 있는 것도 사실이므로, 기존의 RAM을 VRAM(Volatile Random Access Memory) 혹은 더 넓은 의미인 VM(Volatile Memory)으로 칭하는 사람도 있다. 플래시 메모리는 NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory)으로 칭하기에는 애매해서, 그냥 넓은 의미인 NVM(Non-Volatile Memory)으로 칭한다. 당장 NVMe만 봐도 알 수 있다.

3. 휘발성과 비휘발성

메인 메모리에 주로 사용되는 RAM은 일반적으로 전원이 차단되면 내용이 지워지는 휘발성 기억 장치이다. 이런 특성으로 인해 속도는 느리지만 전원이 끊어져도 정보를 저장할 수 있는 자기 테이프, 플로피 디스크, 하드 디스크 같은 보조 기억 장치가 나오게 되었다.

실제로 RAM의 전원을 차단해도 물리적 전자공학적으로 순식간에 휘발되지는 않는다. 휘발 시간에는 RAM마다 조금씩 차이가 있다. 예를 들어 SRAM은 전원이 차단되자마자 즉시 데이터가 지워지지만, DRAM은 전원이 차단되자마자 그 즉시 데이터가 지워지는 것은 아니며 대략 5분 정도의 시간이 걸린다. DRAM은 내부에 전류를 일시적으로 저장하는 역할을 하는 축전기가 들어가 있기 때문이며, 액체 질소 등으로 냉각시킬 경우 1주일 정도는 데이터가 저장 가능하다고 한다. 그러나 이 특성이 전원이 끊어진 상태에서 데이터 신뢰성이 보장된다는 말은 아니니 비휘발성 메모리라고 취급하진 않는 것이 원칙이다. 한편 이 특성을 악용한 물리적 해킹 기법으로 Cold boot attack이 있다. 컴퓨터나 스마트폰 등의 전원이 꺼진 후 단시간 내에 액체 질소로 DRAM을 냉각시킨 다음, 특수 OS로 부팅하거나 외부 장비를 통해서 냉각된 메모리의 내용을 읽는 것이다. 이를 통해서 디스크 암호화 키와 같은 민감한 정보를 추출해 낼 수 있다.

실질적으로 보조 기억 장치의 용량이 아무리 커도 메모리가 적으면 PC는 제성능을 발휘하기 어려우므로 존재감이 강한 부품이었으나, PC가 점점 대중화되고, 조립 컴퓨터 보다 완제품이 많아지며, RAM 가격도 급락하는 바람에 그 존재감이 점점 옅어지고 있다. 그리고 메모리라고 하면 메모리 카드(microSD)나 USB 메모리와 착각 당하기까지 하는 것이 바로 이 메모리라는 존재이다.

전원이 꺼져도 지워지지 않는 NVRAM도 있으나 현재의 RAM을 대체하지는 않는다. 21세기 초부터 계속해서 떡밥을 뿌렸던 PRAM, MRAM, FeRAM 등이 그것. 열로 인한 물질의 상전이나 자기장(을 사용한 스핀 정렬) 같은 물질의 온갖 특성들을 동원해서 전원이 꺼져도 정보를 저장하는 방식이다. 실용화되면 처리와 저장을 동시에, 즉 CPU와 RAM과 하드디스크/SSD의 기능을 동시에 가질 수도 있다지만 PRAM을 제외하고는 아직 연구소 바깥으로 나오지 못했고 연구소 바깥으로 나온 PRAM인 옵테인 메모리 역시 DRAM을 대체하기는커녕 시장에서 실패하고 사업이 역사 속으로 사라졌다. 자기장을 사용한 MRAM이 2012년 후반기에 실험적으로 자동차에 사용된 정도가 고작이며 실용화되어도 하나같이 차폐 기술을 적용하지 않으면 우주선엔 사용이 불가능할 정도로 민감하며, ReRAM은 2 GB 단일 모듈을 소니-마이크론에서 시연한 수준 정도에 올라왔을 뿐이다.

STT-MRAM은 자기를 이용하는 특성 때문에 읽기/쓰기 수명이 반영구적이며 다른 차세대 램에 비해 안정적으로 작동하는 편이다. 또한 랜덤 액세스가 비교적 빠른 편이라 유력한 차세대 램의 후보로 여겨졌으나 비교적 소비전력이 큰 편이고 SRAM의 동작 속도에 비해 다소 느린 편이며 셀 집적화의 한계로 고용량을 실현하기가 어려워 현재로서는 SRAM 타입의 캐시 메모리 위주인 LLC(Last Level Cache)를 대체하는 정도가 될 것이라고 한다. 한편 PRAM은 빛을 이용하는 특성 때문에 소비 전력이 너무 커 개발이 더뎌진 상황이라 메모리뿐만 아니라 스토리지 용도로도 사용될 수 있는 차세대 램은 ReRAM이 될 것이라고 한다. 여전히 비휘발성 차세대 RAM의 갈 길은 멀지만 지속적인 연구로 상황이 점차 나아지고 있다.

4. 플래시 메모리와의 차이점

플래시 메모리는 주 기억 장치라기보단 보조 기억 장치의 일종이지만, 똑같이 읽고 쓰는 게 가능한데 왜 RAM(주기억장치로서) 취급을 안 해 주냐면, CPU에서 대개 직접 읽고 쓸 수 없으며(일부 CPU는 플래시 메모리 컨트롤러 내장) RAM처럼 바이트 단위로 접근할 수 없고 페이지 단위로 읽기/쓰기가 진행되기 때문이다. (읽기/쓰기는 페이지 단위, 삭제는 블럭 단위다.)

데이터나 명령어가 항상 페이지에 정확히 맞아떨어지는 것이 아니기 때문에 데이터를 바이트 단위로 접근하면 더 다양한 크기의 데이터를 다룰 수 있게 되고 따라서 효율적인 메모리 관리가 가능하다. 바이트 단위로 접근하지 못하고 페이지 단위로만 데이터에 접근하는 플래시 메모리의 경우 페이지 크기보다 작은 데이터를 읽거나 쓸 때에도 매번 전체 페이지를 불러와야 하기 때문에 메모리에 비해 비효율적이다. 또한 하드웨어 시스템은 메모리 접근을 바이트 단위로 구현하기 때문에 하드웨어와의 상호작용이 많이 필요한 주 기억 장치 특성상 플래시 메모리는 부적합하다.

플래시 메모리가 RAM이 아니니까 그것과 구분하여 ROM이라고 적은 마케팅 자료도 있는데, 물론 ROM과 같은 비휘발성 메모리지만 ROM(Read Only Memory)의 정의에 부합되는 방식은 더더욱 아니지만, EEPROM까지 생각하면 그러려니 넘길 수는 있다.

5. 디스크 페이징 관련

RAM의 용량을 보조하기 위하여 더 대용량인 HDD, SSD를 통해 일부 영역을 메인 메모리 용도로 전용하여 사용하게 되는데 이를 디스크 페이징, 스왑, 스와핑 등 으로 부르며, Windows 운영체제에서는 가상 메모리로 번역되었다.

초창기의 컴퓨터는 RAM 값이 컴퓨터 가격의 상당 부분을 차지했기 때문에 이런 기법이 대세였다. 그러나 주 메모리로 쓰이는 램과 보조 메모리로 쓰이는 저장매체의 속도 차이가 워낙 많이 나서 이 상태가 되면 그 순간 컴퓨터의 속도가 사실상 답이 없을 만큼 느려진다. 시중에서 많이 쓰이는 DDR5 SDRAM 5600 MHz의 대역폭은 44800 MB/s인데,[7] 2020년대 초반 기준 PCIe를 사용하는 M.2 NVMe 방식의 SSD의 대역폭이 보통은 3500 MB/s에서 고급 제품은 7000 MB/s 정도이니 적게는 6배, 많게는 12배 이상의 차이가 난다. 이 수치마저 순차 읽기/쓰기 성능이나 일시적으로 활용하는 정도고, 정작 실제 컴퓨팅 환경에서 중요한 랜덤4k 성능은 저 대역폭도 다 활용하지 못하고 뚝뚝 떨어지기 때문에 실질적으로는 훨씬 성능 차이가 크다. 당장 HDD를 SSD로만 갈아도 체감속도가 달라지는데, RAM과의 차이는 더더욱 넘사벽이다.[8] 그래서 주기억장치(DDR 램, LDDR 램)와 보조기억장치(ATA 하드디스크, eMMC)의 속도 차이가 워낙 많이 나던 시기(2000년대)에는 PC 최적화 팁으로 가상 메모리를 해제하라는 팁이 많이 돌았지만, SSD의 등장과 세대의 거듭으로 HDD 시절과는 비교를 불허하게 된 현재는 가상 메모리를 완전히 해제하는 것은 이제 오히려 컴퓨터 최적화에 좋지 않은 방법이 되었다. [9] 또한 DirectStorage API 등 보조기억장치를 적극적으로 활용하는 사례가 늘고 있어, RAM의 대체까지는 아니더라도 보조 메모리가 주 메모리의 부담을 덜어주는 것은 부분적으로 가능해질 것으로 보인다.

그러나 여전히 RAM의 속도는 보조기억장치보다 절대적으로 빠르기 때문에 본인이 고사양 게임이나 편집 툴, 영상 인코딩을 한다고 하면 충분한 용량의 RAM을 꼭 사용하도록 하자. 바로 위의 다다익램 예시에서 같은 대역폭을 두 개를 장착하면 속도가 두 배로 뻥튀기된다. 4800 Mhz 짜리 DDR5 SDRAM을 두 개 장착하면 대역폭이 76800 MB/s. 트리플이나 쿼드 채널은 일반적인 CPU는 지원을 안 하는 경우가 많기에[10] 이 경우에는 용량은 올라가나 대역폭 속도는 두 배만 지원하는 경우가 많다. 아래에도 있지만 두 개의 대역폭이 다를 경우 낮은 쪽의 대역폭으로 맞추어지니 유의하자. 이렇게 빠르면서도 값싸게 가상메모리 영역을 확보하고자 하는 틈새시장이 꽤 크다 보니, 아예 이런 용도로 사용하라고 3D XPoint까지 나온 마당이다.

6. RAM의 성능

RAM 성능이라 하면 '용량'을 가장 먼저 떠올리지만, 간접적인 성능일 뿐이지 메모리 자체의 직접적인 성능이 아니다. 메모리 성능의 지표가 되는 요소는 기본적으로 메모리 레이턴시, 메모리 쓰루풋 및 대역폭으로, 동시 멀티스레딩(SMT)를 지원하는 CPU가 등장한 이후에는 메모리 레벨 병렬 처리(MLP)까지 추가되어 총 3가지로 구분한다. 거기에 메모리 엑세스 패턴별과 데이터 타입별로 레이턴시, 쓰루풋, MLP가 달라질 수 있다. 한 가지 측정 값만으로는 종합적으로 파악할 수 없다는 뜻이다. 참고로 메모리 엑세스 패턴은 크게 '순차적', '페이지 내에 랜덤', '전체 랜덤' 해서 3가지로 구분한다.

7. 용량에 따른 설명 (PC 기준)

2010년대 이전까지의 조립 컴퓨터/견적에서는 언제나 많으면 많을수록 좋다며 소위 '다다익램'이 정설로 통했다. 지금도 RAM은 중요하지만, 메모리 값이 비싸고 과거 적정 용량이 128 MB도 안 되던 시절(1990년대 초중반)은 차이가 훨씬 더 심했다. 사무용으로만 써도 항상 RAM 용량이 부족하다 보니 8 MB에서 16 MB로, 16 MB에서 32 MB로 올리면 엄청난 성능 향상을 체감할 수 있었다. 새 컴퓨터를 구입하면 원래 사용하던 용량보다 RAM 용량을 2배씩 올리는 것이 기본이었다. 기가바이트 단위 사용이 보편화되기 전까지 다다익램은 절대 진리였다.

기가바이트 단위를 쓰면서부터 RAM 용량에 여유가 생겨 사무용 이용자들은 더 이상 RAM에 많은 집착을 하지 않게 되었다. 하지만 최소 4 GB급 RAM을 쓰는 시대가 되었어도 RAM을 많이 쓰는 프로그램, 게임, 웹 브라우저(특히 크롬)를 돌리면 속도가 느려지는 게 체감이 되고 따라서 RAM을 추가하고 싶다는 생각이 든다.

DDR4 SDRAM과 Windows 10의 대중화 시점인 2015년 이후 기준으로 프로그램들이 무거워져서 새로 구입한다면 조금 더 높은 용량이 추천된다. 단순 사무용 및 영상 감상/웹 서핑 컴퓨터에는 8 GB, 고사양 프로그램 및 게임까지 하려면 16 GB, 마음 먹고 게이밍 컴퓨터를 맞추려면 32 GB 정도가 권장되며, 원컴방송이나 그래픽 제작/편집 등을 수행하는 경우이거나 RAM 누수가 심한 프로그램을 돌리는 경우에는 32 GB 이상의 RAM을 사더라도 돈값을 한다.

CPU 내장 GPU를 사용할 경우, 시스템 메모리 일부가 GPU용으로 할당되므로 실제 사용자가 쓸 수 있는 RAM 용량이 더 줄어든다. 가령 4 GB인 시스템 메모리에 1 GB를 GPU용으로 할당한 시스템일 경우 이론적인 가용량은 3 GB이지만, OS 부팅 단계에서 이미 메모리에 상주하는 프로세스들이 존재하므로 실제 가용량은 2 GB 내외 혹은 그 이하로 더 적다. 따라서 8 GB 정도 램을 사용해 충분한 램 용량을 확보해서 사용하는 사람들이 많다.

Windows 7부터는 메모리가 부족하지 않은 이상 프로그램이 종료돼도 메모리를 반환하지 않는다. 가령 고사양 게임을 실행 시 처음에 실행할 때는 스토리지에서 읽어오므로 실행 속도가 느리지만 종료시켰다가 다시 실행하면 메모리에 남아 있는 데이터를 다시 불러들이므로 훨씬 빨리 실행된다. 즉, 다다익램이란 것이 멀티태스킹처럼 동시에 프로그램을 사용하는 사람에게만 이득이 되는 것은 아닌 셈이다.

Windows 사용자라면, 자신의 컴퓨터에서 RAM 점유율이 50%[11] 이상을 보일 시 RAM 용량 증설을 고려할 필요가 있고 75%[12] 이상을 보일 시 RAM 용량 증설이 시급하다는 신호로 간주하자. 사용 중에 불편을 느낄 정도면 RAM 업그레이드를 하는 것이 좋다. RAM의 용량이 꽉 차는 RAM 오버플로는 블루스크린을 일으키는 대표적인 원인이다. 따라서 컴퓨터는 최대한 RAM을 덜 쓰려는 시스템을 갖추고 있고, 안정된 작동을 위해 RAM 용량이 부족하지 않더라도 최대한 가상 메모리 등을 끌어다 쓴다. RAM 잔여량이 부족해지면 더욱 적극적으로 가상메모리를 사용하게 되고, 그에 따른 성능 저하가 관측되는 시점이 RAM 용량의 70% 정도를 사용할 시점인 것이다.
OS 기준 설명표 MS DOS Win 1.x~3.x Win 95 Win 98~Me WinNT 3.x~4.0 Win 2k~XP Vista~7 Win 8.x Win 10 Win 11
~640 KB O X
~16 MB O X
~64 MB [13] O X
~256 MB [14] [15] O X
~1 GB X [16] O X
~4 GB X O
~64 GB X [17] O
~128 GB X [18] O
~512 GB X [19] O
~6 TB X O

주로 메모리 슬롯 4개 이상을 지원하는 메인보드[20]에 램을 전부 장착하는 걸 풀뱅크 혹은 풀뱅이라고도 한다. 풀뱅크로 사용할 경우의 장/단점은 다음과 같으며 여기서는 서버/워크스테이션에서 사용되는 메인보드가 아닌 일반적인 메인보드를 기준으로 설명한다.

그래서 필요하지 않은 고용량과 고사양 램을 미리 많이 사놓는 것보다 적당한 용량과 성능의 램을 구매하여 잘 사용하다가 몇 년 뒤 업그레이드가 필요할 때 과거에 비해 더 저렴해진 고사양+고용량 램으로 교체하여 성능을 향상하거나 적당한 용량과 성능의 램을 추가하여 성능을 향상 해주는 것이 압도적으로 가성비가 좋다. 그럴 수밖에 없는 게 램 또한 다른 PC 부품들과 비슷하게 시간이 흐르면 지속적으로 가격은 하락하면서 용량과 성능은 오르는 상품 중 하나이고 거기에 미리 고성능+대용량의 램을 사놨다가 DDR3, DDR4, DDR5로 바뀌어온 것처럼 CPU+메인보드+램의 세대가 아예 바뀌어버리는 경우 차세대 램+CPU를 지원하는 신규 메인보드로 업그레이드한 이후로는 기존의 구형 램은 아무 쓸모가 없어진다. 그때가 되면 중고로 팔아도 헐값밖에 못 받는다.
2026년 상반기 시점에선 사무용은 16GB, 게이밍용이라면 32GB 정도면 무난하다고 평가된다. 고사양 작업이나 램을 많이 먹는 게임을 하거나 향후 수년은 부품 교체 없이 쓸 생각이라면 미래 대비용으로 48~64GB로 장만하는 것도 나쁘지 않다.

===# 1 MB 미만 #===
2020년대 기준 골동품 수준으로 오래된 컴퓨터 이외에는 찾아볼 수조차 없는 영역이 되었으며 Windows 3.0 이후의 운영체제는 제대로 쓸 수가 없다.

* 4 kB
* Apple I, II에 탑재된 램의 최소 용량이다.

===# 1 MB 이상~512 MB 미만 #===
2020년대에 들어선 시점에선 고전게임용 컴퓨터나 특수 설비 외에는 찾아보기가 극히 어려워졌다. Windows XP 이후의 운영체제들은 간단한 실사용이 가능하며 Windows 8부터는 켜두는 것만 가능하다.

===# 512 MB 이상~4 GB 미만 #===

7.1. 4 GB 이상~16 GB 미만

7.2. 16 GB 이상~64 GB 미만

7.3. 64 GB 이상

8. 논리적 용도별 종류

해당 RAM 분류는 물리적인 특성과는 상관없이, 용도에 따라 분류한 것이다.

8.1. 메인 메모리

시스템이 동작하는데 있어서 반드시 존재해야 할 RAM으로, 얼마나 중요한 용도인지 잘 모르겠다면 컴퓨터 시스템을 종료하고 장착되어 있던 메인 메모리를 모두 분리해서 OS 재부팅을 시도해보자. 그러면 부팅은커녕 전원을 켜도 아예 아무런 화면조차 표시되지 않으며, 시스템에 따라 비프음이 울리기도 한다. 그만큼 컴퓨터에 탑재된 각종 메모리들 중에서 가장 중요한 메모리이므로 시스템 메모리라고도 부른다. 한자어로 '주 기억 장치'라고도 부르며, BIOS가 담겨진 ROM과 함께 취급하고 있다. 읽기만 가능한 ROM(Read Only)과는 달리 Random Access 즉, 임의 접근하여 자유롭게 읽고 쓸 수 있다는 특징을 기억해야 한다.

컴퓨터는 CPU에서 이뤄진 연산을 메모리에 기록하며 또 읽어온다. 잘 이해가 되지 않는다면, 복잡한 계산을 할 때 공책에 풀이해 가면서 하는 걸 생각하면 된다. 계산한 내용을 기억까지 할 수 있는 두뇌와 달리, CPU는 오직 계산만이 가능하고 기억하는 역할은 메모리가 전담해야 하기 때문에 실제로는 이 예시보다 훨씬 중요한 역할이다. 메모리가 없으면 컴퓨터는 동작 자체를 못한다. 당연히 램의 용량이 클수록 그 용량만큼 동시에 기록하고 연산하는 것이 가능하다는 것이며 고용량 램일수록 컴퓨터의 성능이 올라가고 가격이 비싸진다.

8.2. 버퍼 메모리

서로 다른 두 곳에서 데이터를 이동할 때 그 데이터가 누락되지 않고 완전하게 이동할 수 있도록 임시로 보관하기 위한 버퍼 기능을 수행하는 RAM. 컴퓨터가 여러 장치들로 구성되어 있는 한, 버퍼라는 존재를 배제할 수 없을만큼 매우 중요한 용도이다.

RAM 범주에서 버퍼 용도로 사용된 곳은 대표적으로 HDD 버퍼, SSD 캐시 겸 버퍼[61], 그래픽 카드의 그래픽 메모리에 일부 영역으로 할당된 프레임 버퍼가 있지만, 메인 메모리로 사용되는 시스템 메모리도 일부 영역은 버퍼로 사용된다.

8.3. 캐시 메모리

시스템의 성능 향상을 위해 캐시 기능을 수행하는 RAM으로, 메인 메모리와는 다르게 캐시 매모리 자체는 이것이 없어도 작동하는데 문제는 없다. 다만 캐시가 없으면 속도가 매우 느려지기 때문에 더 나은 사용자 경험을 위해 사실상 필수가 된 용도라고 볼 수 있다.

CPU와 메인 메모리의 데이터 교환 속도를 향상시키기 위해 오직 캐시 기능만을 수행할 전용 메모리 즉, 캐시 메모리가 등장했으며, 그것도 모자라 CPU 내부에 내장되었기 때문에[62] 현세대 시스템에서는 캐시 메모리를 직접 보기가 어려워졌다. 주로 SRAM이 사용된다.

8.4. 램 디스크

잦은 I/O 처리로 인해 무리를 받는 HDD나 SSD를 대신하면서 보다 빠른 속도로 처리하기 위해 스토리지/드라이브 기능을 수행하는 RAM. 메인 메모리의 여유 용량을 이용하는 소프트웨어 방식과 별도의 RAM으로 이용하는 하드웨어 방식이 있다. 자세한 내용은 램 디스크 문서 참조.

이와 반대 개념으로 보조 저장 장치 용도인 HDD나 SSD가 메인 메모리 기능을 수행하는 가상 메모리가 있지만, RAM이 할 수 있는 역할은 아니므로 유의할 것.

9. 물리적 특성별 종류

해당 RAM 분류는 용도에 상관없이, 물리적인 특성에 따라 분류한 것이다.

데스크탑 PC와 일반 노트북에는 #DDR SDRAM, 스마트폰태블릿 컴퓨터와 저전력 노트북에는 #LPDDR SDRAM, 그래픽 카드에는 #GDDR SGRAM이 주로 사용된다.

9.1. 휘발성 RAM

Volatile Random Access Memory (VRAM)
휘발성 RAM을 일컫는 용어.

9.1.1. SRAM

Static Random Access Memory (SRAM)

1965년 IBM의 아놀드 파버와 유진 슐리그는 트랜지스터 게이트와 터널 다이오드 래치를 이용해 최초로 메모리 셀을 만들었다. 그해 IBM의 벤자민 아구스타와 폴 카스트루치가 그 메모리 셀을 이용해 최초의 16비트 정적 램 SP95 칩을 상용화했다.

정적 램이라고도 부르며, 내용을 한번 기록하면 전원이 공급되는 한 내용을 그대로 가지고 있는 램이다. 기본적으로 트랜지스터 등으로 구성된 논리 회로로 이루어지며 외부 신호에 따라 내부의 값을 유지하는 식으로 정보를 기록한다. 기억 능력을 가진 논리 회로를 특별히 플립플롭[63]이라고 부른다.

SRAM은 DRAM의 100배 이상으로 접근 속도가 빠르지만[64] 구조가 복잡하여 공간을 많이 차지하므로 집적도를 높이기 어려워 가격이 비싸고 대용량으로 제작하기가 어렵다. 그래서 빠른 속도가 요구되는 캐시 메모리(Cache Memory)에 주로 사용된다. CPU 스펙에 표시되는 L1, L2, L3 등의 캐시 메모리가 대표적. 물론, SRAM이라서 무조건 캐시에만 써먹으라는 법은 없으며 메모리가 많이 필요하지 않은 곳에는 여전히 메인 메모리로도 쓰인다. 특히 임베디드에서는 SRAM을 내장한 칩도 여전히 흔하다. DRAM과 달리 리프레시를 위한 추가 회로가 필요하지 않다는 장점이 있다.[65] 이런 장점들 덕분에 별도의 수은전지 등의 전원을 SRAM에 연결해서 보조 기억장치처럼 쓰는 사례도 많았고, 이러한 방식은 옛날 수 많은 게임 카트리지 등에 사용되었으며 대표적으로 초기의 포켓몬스터 시리즈가 있다.

CPU에 내장된 캐시 전용 SRAM의 스펙은 대개 용량만 표기되고 속도가 표기되어 있지 않은데, CPU 코어 클럭 속도와 같은 속도로 동작하기 때문에 속도를 따로 표기하지 않는다. 그러나 인텔 7세대 코어 i 시리즈 이후부터 캐시 클럭 속도가 코어 클럭 속도보다 약간 떨어지는 속도로 동기화되기 시작해서 따로 구분해야 한다. AIDA64 메모리 벤치마크를 통해 특정 메모리 엑세스 패턴 기준으로 측정은 해볼 수 있는데 수 백 GB/s를 가뿐히 넘긴다. 단, 메모리 엑세스 패턴에 따라 측정 값이 달라질 수 있기 때문에 서로 다른 마이크로아키텍처끼리 비교하기가 부적절함을 감안해야 한다. 2013년 6월에 3.00 버전으로 업데이트되기 전까지는 싱글스레드 기반에 순차 접근 패턴으로 측정되어서 괴리감이 더 컸다. 업데이트 이후에는 멀티스레드 기반에 페이지 단위의 랜덤 접근 패턴으로 변경되어서 괴리감이 그나마 덜 해졌을 뿐이지 종합적으로 판단하기 어려운 것은 마찬가지이다.

CPU 코어 외부에 인접된 캐시 메모리와 CPU 코어 내부에 있는 레지스터는 다른 개념이다.

9.1.2. DRAM

파일:상세 내용 아이콘.svg   자세한 내용은 DRAM 문서
#!if (문단 == null) == (앵커 == null)
를
#!if 문단 != null & 앵커 == null
의 [[DRAM#s-|]]번 문단을
#!if 문단 == null & 앵커 != null
의 [[DRAM#|]] 부분을
참고하십시오.
Dynamic Random Access Memory (DRAM)

1966년 IBM 왓슨 연구소의 로버트 데나드 박사[66]가 발명해, 1968년 DRAM에 대한 특허를 취득했다. 최초의 DRAM 상용 제품은 1969년 이 특허의 사용권을 취득한 Advanced Memory System에서 나왔다. IBM의 특허는 1985년 6월 4일에 만료되었다.

동적 램은 기록된 내용을 유지하기 위하여 주기적으로 재충전(Refresh)이 필요하다. 기본적으로 축전기(Capacitor)로 이루어지며 이것의 충전 상태로 정보를 기록한다. 계속 재충전해야 하는 이유는 캐퍼시터가 시간이 지나면 저절로 방전되기 때문.[67]

동적 램은 속도가 SRAM보다는 느리지만 구조가 간단하여 집적도를 쉽게 높일 수 있다. SRAM이 보통 트랜지스터 사이에서 루프를 돌리고 '상정되지 않은 입력'을 걸러내는 게(SDRAM의 경우 클럭에 대한 반응도) 필요한 플립플롭의 구조상 최소 4개 이상으로 셀 하나를 만들지만 DRAM은 트랜지스터 하나와 캐패시터 하나로 만들어져 있기에 고집적화가 가능하다. 그나마 커패시터도 트랜지스터 제조 시 생길 수밖에 없는 기생 커패시터를 극대화하여 활용하기에 필요 면적이 매우 작다. 또한 정적 램에 비해서 가격이 매우 싸고 전력 소비도 그렇게 많지 않아 CPU의 주 기억 장치로 가장 많이 사용되고 있다. 파워 서플라이와 같은 다이오드 계열이 기초 소자 중 가장 비싸다.

우리가 말하는 '램'은 보통 DRAM이다. DRAM 구조에 따라 비동기식이니 동기식이니, 동기식 중에서도 SD이니 RD이니 DDR이니 붙는 것.

9.2. 비휘발성 RAM

Non-Volatile Random Access Memory (NVRAM)

비휘발성 RAM은 기성의 반도체 제품을 제조하는 것과는 다른 소재와 공정이 필요하기 때문에 단가 자체가 비싸며, 연구개발도 개념 제안 정도에 머무르는 경우가 많기 때문에 개별 제품의 단위 용량 역시 보잘 것 없는 경우가 대부분이다. 현재는 주저장매체와 보조저장매체의 이원화된 시스템으로도 고도의 데이터 처리가 가능하기 때문에, 비휘발성 메모리 분야에 대한 거대자본의 투자가 미미한 편이다. 휘발성 메모리 분야와 마찬가지로 원천 특허 역시 이 분야의 터줏대감인 미국의 IBM, 인텔 등이 독식하고 있다.

참고로 넓은 의미인 비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory)로 보자면 ROM플래시 메모리마저 이 범주에 속하지만, 둘 다 NVRAM에 부합되지 않는다. ROM은 말 그대로 읽기 전용이고, 플래시 메모리는 특수한 CPU가 아닌 한 일반적으로 플래시 메모리용 CPU 내장 컨트롤러가 따로 없어서 메인 메모리용 RAM처럼 CPU에서 바로 읽기/쓰기 작업을 할 수 없기 때문이다.

9.2.1. MRAM

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM), 자기 저항 메모리

오래 전부터 연구가 진행되었으며, 실 사용이 가능한 샘플의 양산도 끝마쳤으나 특성상 소자의 크기를 줄이기가 힘들기에 고밀도화에 난항을 겪고 있다. 박막의 스핀배열이 평행/반평행인지에 따라 저항이 변하는 거대자기저항(GMR) 현상[68]을 이용한 소자이다.

2017년 4월, 삼성전자에서 파운드리 제품에 MRAM을 접목하기로 했다. 출처

2019년 3월 7일 삼성전자에서 MRAM의 양산 시작을 발표했으며 정확히는 파운드리 제품 중 임베디드로 MRAM을 넣은 제품의 양산출하 시작이다.기사[69] 사용처는 스마트폰 등의 저장장치, eFlash 등의 대용으로 보인다.

9.2.2. STT-MRAM

Spin-Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM)

스핀 주입 기술을 응용한 MRAM의 일종이다. 현재 차세대 메모리의 표준이 될 것이라는 추측이 많다. 여타 다른 차세대 메모리 중 SRAM의 속도에 가장 근접한 비 휘발성 메모리이다. MRAM의 진화형(2세대 MRAM)으로 보는 시각도 있으며, MRAM의 특성을 그대로 따라간다.

삼성·IBM 합작 연구로 집적도를 11 nm 공정까지 줄이는데 성공하면서 수년 안에 양산할 계획이라 한다.#

9.2.3. PRAM

Phase-change Random Access Memory (PRAM, PCM[70]), 상변화 메모리

컴퓨터 저장 매체로서의 상 변화 메모리는 전기적 특성에 반응하는 유리 물질인 칼코게나이트계 소재의 상 변화의 특징을 저장 매체의 메커니즘으로 활용한다. 칼코게나이트는 황으로 대표되는 16족인 칼코젠 원소와 상대적으로 음이온보다 양이온이 되기 쉬운 양전성 원소로 구성된 화합물로, 칼코게나이트계 어레이는 저마늄, 안티모니, 텔루륨의 혼합 재제로 만들어 지는 것이 흔하다. 이 제재로 제작된 칼코나이트계 어레이는 섭씨 600도의 온도까지 견딜 수 있어 내구성이 우수하고, 어레이 자체에 물리적인 힘이 가해지지 않는 이상 반영구적이다. 정적 상태에서는 유리질의 결정이 없어 0, 칼코게나이트계 유리질이 결정화되면 1의 값을 갖는다. 여기서의 결정은 전기적 자극으로 형성되거나 없어질 수 있으며, 전원이 차단된 후에도 변화값이 유지되기에 정보 역시 유지된다.

칼코게나이트계 상 변화 메모리는 1960년대부터 미국에서 연구되기 시작했다. 1969년, 아이오와주립대학에서 칼코게나이트계 유리의 특성이 메모리로서의 잠재적인 특성을 갖고 있다는 점을 발표했으며, 이듬해 다이오드 어레이를 이용한 칼코나이트계 필름 시제품을 발표했다. 1970년대부터는 영상, 사진 자료를 저장하는 칼코나이트계 제품이 나오기 시작했다. 1970년대 중반부터는 고든 무어에 의해 인텔 사에서 컴퓨터 저장 반도체 매체로서 본격적인 연구가 시작되었다.

1990년대부터는 상 변화의 특성을 이용한 초보적 제품들이 나오기 시작했다. 전자식 다이오드, 접합형 트랜지스터(BJT), 고속 전계효과 트랜지스터(MOSFET)와 같은 전류/신호 통제장치에 상 변화 어레이가 적용된 것이다. 2004년에는 한 미세전자기계시스템(MEMS)에 상 변화 어레이가 전면 채용되면서 어레이가 PRAM의 형태로 등장했다. 이 시스템은 휴렛팩커드에서 제작했는데 총 125 GB의 용량을 지녔으며, 비휘발성 RAM의 조건인 속도가 고속이고, 전원이 차단되더라도 정보가 유지될 것을 완전히 충족했다. 이러한 콘셉트는 IBM에 의해서 연구되고 있던 밀리페드 메모리 기술과 유사한 것이었다.

2006년에는 삼성이 64 MB 단일 PRAM 칩을 발표했다. 46.7 nm 공정으로 제작된 이 시제품은, 당시 용량 증량 문제로 어려움을 겪던 MRAM과 FeRAM과의 격차를 벌린 것으로 평가된다. 삼성이 시제품을 내놓자 인텔에서도 PRAM 개발에 박차를 가해, 2006년 10월 16 MB의 칩을 시제품으로서 발표했다. 2008년에는 ST마이크로일렉트로닉스가 인텔과 협력해 입체 구조의 PRAM을 발표했으며, 2010년에는 인텔에서 알루미늄안티모니 합금을 이용한 PRAM을 발표하며 PRAM 제조 단가를 획기적으로 낮추는 계기를 마련했다.

2010년 삼성에서는 20 nm 공정의 8 Gbit 칩을 발표했고, 2012년에는 마이크론이 20년 이내에 모바일 기기에서 사용할 수 있을 정도의 PRAM 저장 매체를 양산하겠다고 발표해 PRAM의 본격적인 상업화에 드라이브를 걸었다. 2014년 IBM에서는 자사의 메인프레임 제품의 성능을 비약적으로 향상시킬 수 있는 새로운 I/O모듈을 발표했는데, 낸드 메모리와 PRAM을 함께 이용한 제품이었다. 2015년에는 인텔에서 칼코나이트계 어레이로 RAM을 시험 제작했는데, DDR3 규격의 SDRAM과 유사한 성능을 낼 정도로 성능 면 역시 우수했다. 같은 해, 인텔과 마이크론은 각각이 추진하던 PRAM 연구 개발 프로젝트를 합쳤고, 이 결과가 옵테인 메모리에 사용된 3D XPoint. 그러나, 이후로 RAM과 플래시 메모리의 발전에 3D XPoint는 시장에서 고전했고, 2022년 7월 말, 3D XPoint 사업은 역사 속으로 사라지게 되었다.

9.2.4. RRAM (ReRAM)

Resistive Random Access Memory (RRAM, ReRAM), 저항 변화 메모리

부도체 물질에 충분히 높은 전압을 가하면 전류가 흐르는 통로가 생성되어 저항이 낮아지는 현상을 이용한 메모리. 일단 통로가 생성되면 적당한 전압을 가하여 쉽게 없애거나 다시 생성할 수 있다. 페로브스카이트나 전이금속 산화물, 칼코게나이드 등의 다양한 재료를 이용한 RRAM이 개발되고 있다.

비휘발성의 특징을 가진 메모리로, SRAM과 달리 백업배터리가 불필요하다. 소비전력이 낮고 작은 칩사이즈로 소규모 패키징이 가능한 것이 장점이다.

EEPROM에 비해 고용량 집적화가 용이하며, NOR FLASH와 NAND FLASH에 비해 속도가 우수하다.

위와 같은 이유로 IoT 관련 제품이나 메디컬 분야, 물류, 보안 분야에서 자주 사용된다.

후지쯔에서 12Mbit ReRAM을 출시하며 용량 부분에서 크게 개선된 점을 확인할 수 있다.

9.2.5. FRAM (FeRAM)

Ferroelectric Random Access Memory (FRAM, FeRAM), 강유전체 메모리

비휘발성 반도체 메모리라고는 EEPROM 밖에 없었을 때 혜성처럼 등장한 메모리.

9.3. 사용 단자

파일:상세 내용 아이콘.svg   자세한 내용은 단자/데이터 입출력 문서
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#!if 문단 != null & 앵커 == null
의 [[단자/데이터 입출력#s-|]]번 문단을
#!if 문단 == null & 앵커 != null
의 [[단자/데이터 입출력#RAM|RAM]] 부분을
참고하십시오.

10. 가격

파일:상세 내용 아이콘.svg   자세한 내용은 RAM/가격 문서
#!if (문단 == null) == (앵커 == null)
를
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의 [[RAM/가격#s-|]]번 문단을
#!if 문단 == null & 앵커 != null
의 [[RAM/가격#|]] 부분을
참고하십시오.

11. 주소할당 문제

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#!if (문단 == null) == (앵커 == null)
를
#!if 문단 != null & 앵커 == null
의 [[RAM/주소할당 문제#s-|]]번 문단을
#!if 문단 == null & 앵커 != null
의 [[RAM/주소할당 문제#|]] 부분을
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12. 관리

12.1. 장착

12.2. 수리

13. 기타

14. 관련 문서

15. 둘러보기

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[1] CUDIMM 규격을 최초로 적용한 2025년 기준 일반 소비자용 램이다.[2] 오버클럭이 용이한 튜닝램. 방열판이 일체형으로 탑재되어 있다.[3] 물론 CPU엔 레지스터캐시 메모리가 있지만 용량이 매우 적다.[4] 반면 CPU는 그 책상에서 일하는 작업자로 비유되곤 한다. CPU는 연산 능력을 책임지는 장치이기 때문. 참고로 캐시 메모리는 작업자가 책상에 처리해야 할 자료를 신속하게 올리고 내릴 수 있도록 바로 붙어있는 서랍에 대응된다.[5] 초기 하드 디스크 이름이 RAMAC(Random Access Method of Accounting and Control)이며 자기 테이프 대비 가장 큰 장점을 지칭했다.[6] Random Access Memory라는 정의상으로는 그렇다는 뜻이다. 자유롭게 쓰는게 가능하다는 특징과 그렇지 않다는 특징이 실제 상품으로서는 매우 큰 차이점인지라 현실적으로는 램과 롬을 서로 대비되는 메모리라고 본다.[7] 램 정보를 보면 25600, 38400 등이 써져 있는데, 대역폭을 가리키는 것이며 이는 동작 클럭의 8배다. 예를 들어, 클럭이 3200 MHz이면 대역폭은 3200 × 8 = 25600이다.[8] PCIe 4.0을 지원하는 NVMe SSD를 6개 이상을 RAID 0으로 구성하면 순차 읽기/쓰기 한정으로는 더 빨라질 수도 있으나 랜덤 읽기/쓰기 속도의 한계, 레이턴시 문제로 램을 완전히 대체할 수는 없다.[9] 물론 어디까지나 병목 현상이 많이 완화된 것이지 주기억장치인 램의 속도는 보조기억장치보다 월등하게 빠르다.[10] 인텔 제온 시리즈, AMD EPYC 시리즈, AMD Threadripper 시리즈 등 프로슈머용 혹은 서버용 CPU만 3채널 이상을 지원한다.[11] 즉, RAM 용량이 8 GB이면 작업관리자에서 '사용 중'으로 나오는 용량이 4 GB 이상, RAM 용량이 16 GB이면 사용중인 용량이 8 GB 이상인 경우.[12] 즉, RAM 용량이 8 GB이면 작업관리자에서 '사용 중'으로 나오는 용량이 6 GB 이상, RAM 용량이 16 GB이면 사용중인 용량이 12 GB 이상인 경우.[13] HIMEM.SYS 버전 2.77이상 혹은 이에 상응하는 메모리 관리자를 사용하는 경우 한정.[14] QEMM386 등의 별도의 메모리 관리자를 사용하는 경우 한정.[15] Win 3.x QEMM386 등의 별도의 메모리 관리자를 사용하는 경우와 DOSBox 환경 한정.[16] 512 MB 초과 시 MS-DOS 프롬프트 사용 불가능.[17] PAE 환경에서 최대 32(2000), 64(XP) GB까지 인식 가능.[18] XP 64비트 환경 한정.[19] 7 Professional, Enterprise, Ultimate 64비트 환경 한정 192GB까지 인식 가능.[20] 주로 mATX 메인보드와 ATX 메인보드에서 메모리 슬롯 4개가 주로 보이며 mATX의 경우 주로 메모리 슬롯이 2개만 지원하는 메인보드들도 많다. 워크스테이션/서버에 쓰이는 메인보드들의 경우 ATX나 ATX보다 더 확장된 E-ATX 규격으로 메모리 슬롯 4개는 물론이고 6개 이상인 경우도 많다.[21] 서드파티 장치를 통하면 최대 768 kB까지 장착 가능하고 최대 736 kB까지 활용 가능하다.[22] 서드파티 장치를 통하면 최대 768 kB까지 장착 가능하고 IBM PC의 경우 최대 736 kB, IBM PC XT의 경우 최대 640 kB까지 활용 가능하다.[23] 일부 호환 기종은 최대 704 kB 혹은 736 kB까지 활용 가능하다.[24] 메모리 확장 기능이 없기에 IBM PC 호환 기종의 기본 메모리의 상한인 640 kB~736 kB까지만 인식한다.[25] 그림판, 메모장, 워드패드 등[26] 2.1이 갓 나왔던 1988년 기준이며 이 때는 기본 메모리의 상한인 640 KB조차 고용량으로 느껴지던 시기였다. 당시의 16 MB는 2020년대의 192 GB에 필적하는 위상을 자랑했다.[27] MS-DOS 6.0 이상[28] 64 MB 이하는 STOP:0xA5 오류, 16 MB 이하는 중요 시스템 파일이 없다는 이유로("다음 파일이 없거나~(생략)"라고 뜨는 오류를 말한다. 실제로는 램 부족) 부팅 모드 선택 단계에서 더 이상 진행되지 않으며 4 MB는 "윈도우 NT 기반에서 구동할 수 있는 최소 램 용량(7 MB)에 미달하여 진행할 수 없습니다." 라는 특수 오류가 뜬다.[29] 참고로 1989년에 출시된 모델이다. 당시 128 MB는 2020년대의 1.5 TB에 필적하는 위상을 자랑했다. 이런 초고용량 메모리 확장이 가능했던 이유는 메인보드에 30핀 RAM 슬롯을(슬롯 하나가 16 MB) 무려 8개나 때려박았기 때문이다.[30] 그런데 Windows Vista~7 한정으로2011년까지는(윈도우 7 서비스팩 발매 직후) 간단한 인터넷, 음악재생, 영상재생이 가능한 듯하다.[31] DDR2 노트북 메모리 1기가 + ATOM N470으로 부팅에 성공하였다...[32] 인터넷 웹서핑, 간단한 게임, 문서 작업 등[33] 조금이라도 더 저렴하게 구매하는 예산이 절감된 컴퓨터들의 경우 4 GB 램(RAM)을 사용하기도 하지만 보통 저장장치(HDD, SSD) 역시 32GB~128GB의 eMMC나 SSD를 장착하는 비중이 높다. 그나마 용량에 좀 더 투자할 경우 240GB 이상의 용량을 사용하고 있다.[34] 물론 보급형이 아닌 인텔 6세대~14세대 시스템이나 AMD Ryzen 1000~5000 시리즈(AM4 소켓) 시스템들도 DDR4를 사용하고 있어서 DDR4 4 GB 단일로 사용하는 것은 가능하지만 예산을 극단적으로 절감하는 경우를 제외하면 보통은 8GB 이상이 많다. 이후 AMD의 경우 AMD RYZEN 7000 시리즈부터는 소켓도 AM5으로 바꾸면서 동시에 램도 DDR5로 변경되었는데 DDR5 램의 경우 최소 용량이 4GB가 아닌 8GB 용량으로 상향되었다. 인텔의 경우 14세대 이후 인텔 코어 Ultra 시리즈부터 DDR4 램을 제외하고 DDR5 램만 사용하게 된다.[35] 인텔 코어2 시리즈 이전(2006년) 이전 DDR1 램을 사용하는 시스템이나 그것보다 더 오래된 컴퓨터들의 경우 1GB를 4장 구매하여 장착하는 경우는 드물었으며 DDR2가 대중화된 인텔 코어2 시리즈 시기부터 DDR2 1~2GB 램을 여러 장 구매하여 4 GB 이상으로 사용하는 빈도가 늘어났다.[36] 서버 2000 Advanced, Datacenter 버전, 서버 2003, 2008 Enterprise, Datacenter 버전 제외. 이 버전들은 최대 8GB~64GB까지 지원한다.[37] DDR2 메모리에서 사용 가능한 조합으로 듀얼 채널로 동작하나 메인보드에 따라 이 조합이 정상적으로 인식되지 않는 경우가 있다.[38] 2026년 이후 출시될 Windows 12의 최소 사양이기도 하다(AI 기능 사용 시 16GB).[39] 내장그래픽은 RAM 용량의 일부를 내장그래픽의 VRAM으로 할당해서 쓰기 때문에 내장그래픽에 할당된 RAM을 제외하면 5~7GB 밖에 쓸 수 없다. 따라서 내장그래픽을 적극 활용할거라면 내장그래픽에 할당될 RAM 용량을 고려해서 최소 16GB(8GB x 2 조합으로) 이상 장착하는 것이 좋다. 물론 그저 사무용 수준으로 쓸거면 16GB로 안가도 된다.[40] 특히 노트북 환경에서. 최근에는 노트북용 모바일 램이 LPDDR5/LPDDR5X 규격의 온보드 형태로 나오는 노트북들이 많아 게임을 할 사람은 애초부터 램 확장 슬롯이 있는 모델, 온보드 16 GB 모델을 사거나 아예 데스크탑으로 넘어간다.[41] DDR2 / DDR3 메모리에서 사용 가능한 조합으로 듀얼 채널로 동작하나 메인보드에 따라 이 조합이 정상적으로 인식되지 않는 경우가 있다.[42] 갈수록 최적화 상태가 나빠지는 최신 AAA급 게임을 울트라 옵션으로 원활히 돌리기 위해서는 32 GB 이상의 메모리가 필요하다.[43] VRAM은 적어도 8 GB 이상 필요하다.[44] 램 용량뿐만 아니라 CPU와 그래픽 카드도 어느 정도 받쳐줘야 하는데 적어도 그래픽카드는 최소한 GeForce 20 이상의 그래픽 카드를 장착해야 한다. CPU 역시 i5/i7 기준으로 4코어 4~8스레드 위주의 인텔 코어 i 시리즈/1세대~인텔 코어 i 시리즈/7세대, AMD FX 시리즈와 같은 구형 CPU가 아닌 최소한 AMD Ryzen 계열이나 인텔 8세대 이후의 6코어 이상의 신형 CPU를 사용해야 한다. 4코어 계열 CPU의 경우 2023~2024년 현 시점에서는 사무용으로는 아직은 현역이라고 볼 수 있지만 QHD 이상의 해상도를 활용하는 게이밍 등의 중급 사양~고사양 작업 용도로는 부적합하며 FHD 역시 4코어 CPU보다는 6코어 이상의 CPU를 권장하고 있다.[45] 프로레벨 편곡에 사용되는 수준의 가상악기는 제품 하나에 수십기가는 우습고, 시리즈 라이브러리를 많이 보유하고 있는 회사의 제품의 전 시리즈를 인스톨하면 가상악기 제품 한 개 라이브러리 크기가 500GB에 육박하기도 한다.[46] 삼성전자의 경우 H110S1 등의 일부 메인보드에서 DDR3L을 사용하였으며 HP 역시 링크와 같이 DDR3L을 사용하는 사례가 있다.[47] 단, 일반 메인보드에 장착할 경우 ECC 기능은 작동하지 않고 일부 메인보드에 장착 하는 경우 호환성 문제로 사용이 불가하다. 그리고 일반 램과 ECC램하고는 같이 끼는 경우 UEFI 포스팅 오류 발생으로 사용이 불가능하다.[48] DDR3 메모리에서 사용 가능한 조합으로 메인보드에 따라 이 조합이 정상적으로 인식되지 않는 경우가 있다.[49] 흔히들 가성비 노트북이라 부르는 G, U 계열 프로세서+내장그래픽이 탑재된 50~100만원대 노트북[50] DDR4 메모리에서 사용 가능한 조합으로, 메인보드에 따라 이 조합이 정상적으로 인식되지 않는 경우도 있다.[51] 간혹 스펙상으로는 8+16=24 GB 까지만 지원한다고 표기되어 있으나 실제로는 8+32=40 GB까지 지원되는 노트북도 있다.[52] 게임용이라면 시티즈: 스카이라인, 트랜스포트 피버 시리즈, 플라이트 시뮬레이터 같은 램 사용량이 많은 특정 장르를 플레이하거나, Escape from Tarkov처럼 최적화가 비정상적으로 끔찍하거나, 스카이림, 림월드 등 모딩이 활발한 게임에 모드를 떡칠하고 플레이 시 필요하다.[53] DDR4 혹은 DDR5 램을 사용하는 컴퓨터에서 2~4개의 슬롯을 주로 사용하는 mATX나 ATX 규격의 메인보드가 아닌 E-ATX 메인보드에 16GB로 8개 슬롯을 전부 사용하여 구성하는 경우로 대표적으로 서버인텔 코어 X 시리즈라이젠 스레드리퍼를 사용하는 엔트리급 워크스테이션에서 구성하는 경우가 많다.[54] 이 당시 메인보드는 출시 스펙은 64GB였으나 바이오스 업데이트로 128GB까지 지원하는 경우도 많다.[55] 업데이트 이전에는 96GB가 최대였으나 업데이트 이후 제한이 해제되었다.[56] DDR5 UDIMM 램을 사용하여 128 GB 이상으로 구성하기에는 2025년 시점에도 아직도 높은 비용이 들어가는 편이다. 당장 DDR5 UDIMM 램이 막 양산될 시기에는 100만 이상으로 육박해 어지간한 초고자본이 아니면 구매를 고려해봐야 할 정도로 가격이 높았으며 시간이 흘러 2025년 3월 시점에는 DDR5 램 가격이 하락했지만 그래도 DDR5 64GB UDIMM 1개의 가격이 30만원 이상이라서 2개를 구매할 경우 60만 원 이상이 나오는 관계로 여전히 비싼 편이라고 볼 수 있다.[57] 초기 버전 펌웨어의 경우 8 GB, 16 GB, 32 GB의 DDR5 UDIMM 단일 램만 사용이 가능하며 DDR5 24GB 램과 48GB 램, 64GB 램은 사용할 수 없다.[58] 서버/워크스테이션에 쓰이는 DDR5 ECC 램의 경우 64GB RDIMM도 있으며 최대 256GB RDIMM도 있다.[59] DIMM, UDIMM, CUDIMM 등과 관련한 메모리 설명은 링크에서 자세히 언급하는데 이해하기 쉽게 설명하자면 기존 DDR5 램이나 이전 세대의 경우 보통 UDIMM 규격을 사용하였는데 성능을 개선한 신형 DDR5 램 규격이 CUDIMM이라고 생각하면 된다.[60] 대표적으로 AMD RYZEN 7000 시리즈에 쓰이는 기가바이트(GIGABYTE) X670 AORUS ELITE AX (rev. 1.0/1.2) 메인보드의 경우 2025년 3월 18일에 배포된 F33 펌웨어 업데이트의 내용을 보면 Update AMD AGESA 1.2.0.3a PatchA와 함께 Optimized memory compatibility, Enhanced PCIe compatibility, Fix AMD CPU microcode signature verification vulnerability (CVE-2024-36347)을 진행하였다고 나오는데 이 때 최대 메모리 용량이 192 GB에서 256 GB 지원으로 확장된 것으로 보인다. 물론 기가바이트 외에 타 메인보드 제조사 역시 비슷한 업데이트를 진행한 경우가 많다.[61] TLCQLC SSD의 경우 DRAM 대신 SLC 캐싱 영역을 할당해 캐시 겸 버퍼로 사용하기도 하며(디램리스), 이들 중 고급 제품의 경우 DRAM 캐시와 SLC 캐시를 모두 가지고 있기도 하다.[62] 괜히 그런건 아니고 메인보드 상에서 물리적 거리는 얼마 안되지만 그로 인한 레이턴시가 모든 입출력 단계에서 한번만도 아니고 모든 간격에 적용되기 때문에 그 지연 시간은 무시하기 힘들다. 때문에 아예 데이터를 처리하는 CPU 내부에 직접적으로 이식하여 레이턴시를 최소화한 것이다. 최근 대세가 되는 SoC같이 호환성을 어느 정도 포기하고 성능을 끌어올린 것이다.[63] Flip-Flop. 기초적인 원리는 입력을 받으면 그 입력을 초기화 명령을 받기 전까지 내부에서 루프를 돌려서 유지하는 것. 외부의 에너지 공급이 없으면 에너지 손실로 빠른 시간 안에 정지된다.[64] 리프레시가 필요없기에 접근 시간이 리프레시를 필요로 하는 DRAM보다 빠르다.[65] 멀리 갈 것 없이 가정용 컴퓨터의 초기 역사에서는 SRAM이 메인 메모리로 자주 쓰였다. 코모도어 인터내셔널의 PET, VIC-20이나 TRS-80의 일부 모델 등에 SRAM이 메인 메모리로 사용되었다. 마찬가지로 게임기에서도 메인 메모리 및 비디오 메모리로 많이 쓰였으며 예로 패밀리컴퓨터, 게임보이 등이 있다. 4~5세대부터 SRAM에서 DRAM으로 넘어가기 시작했으며(예시로 슈퍼 패미컴은 메인 메모리는 DRAM, 그래픽 및 사운드 메모리는 SRAM이다) 그로 인한 대역폭 부족을 메꾸고자 RDRAM같은 고속 메모리를 사용하기도 했다.[66] 2024년에 사망했다. 그가 1972년에 제시한 데나드의 법칙도 유명하다. 반도체의 1W 당 성능 즉 전성비는 2년마다 2배로 증가하고 트렌지스터 크기가 줄면 전력소모량도 줄어든다는 법칙이다.[67] 이상적으로는 스위치가 off 되면 전류가 흐르지 않아 방전이 일어나지 않아야 하지만 실제로는 커패시터와 연결된 스위치가 off되더라도 미세한 전류가 흐르기 때문에 방전된다.[68] 흔히 스핀 밸브라고 한다.[69] 굳이 정정하자면 진작에 양산에 들어간 것.[70] Phase-Change Random Access Memory[71] 10년동안 0.03나노초당 1회씩 기록할 경우 10조번을 사용할 수 있다[72] 천만개당 0의 불량율[73] 한국 및 아시아권에서는 (주)젬스톤코리아에서 유통을 담당한다.[74] Head-Up Display[75] Tire Pressure Monitoring System[76] Audio Video & Navigation[77] 브랜드 PC나 워크스테이션이라면 핫스왑 베이나 트레이 형식으로 삽입하는 케이스를 사용하므로 저장장치(HDD, SSD) 교체가 더 쉬울 수도 있긴 하지만 일반적으론 램 교체 작업이 제일 간단하다. 브랜드 PC 또한 RAM 교체까지는 어렵지 않게 만든다. 반대로 교체가 가장 어려운 부품은 메인보드이다. 램은 고정대를 풀고 뜯으면 그만이지만 메인보드는 일단 CPU 팬, CPU, 램, 기타 상황에 따라서 그래픽카드도 탈거하고 메인보드에 연결된 모든 선을 다 뺀 다음에 가이드(USB포트)도 뜯고 어쩌고 저쩌고... 메인보드를 교체한다는 건 사실상 컴퓨터를 재조립하는 것과 다름없으며 분해 과정이 필요하다는 점에서 오히려 아예 처음부터 조립하는 것보다 2배는 복잡하고 귀찮다.[78] 최악의 사례를 보면 DDR2 슬롯에 신형 DDR3 램을 꼽는다거나, DDR4 슬롯에 구형 DDR3 램을 꼽다가 망가뜨리는 경우가 있다. 램의 홈 위치와 슬롯의 튀어나온 부분이 안 맞으면 애초에 부품 준비가 잘못된것이다.[79] 램의 단일 모듈은 램에 박혀있는 사각형의 큰 조각형태의 돌출물을 말하는 것으로 해당 모듈의 용량을 합친 것이 램의 용량이 된다. 그래서 같은 용량의 램이라고 해도 단일 모듈을 1GB를 사용했는지, 2GB를 사용했는지에 따라 램에 박혀있는 단일 모듈의 갯수가 차이가 나게 된다.[80] 일부 메인보드는 높은 쪽에 맞추기도 한다. 하지만 이 경우 안정성이 떨어지므로 여기에 해당한다면 동일한 클럭으로 맞춰야 한다.[81] 인텔 CPU의 경우 코어2 듀오/쿼드 시기까지는 메인보드에 노스브릿지와 사우스브릿지를 탑재하여 노스브릿지에서 메모리 속도를 인식한 경우가 많았지만 이후 인텔 코어 i 시리즈/1세대(네할렘)부터는 노스브릿지가 없어지고 대신 CPU 내부에 메모리 컨트롤러가 내장하는 방식으로 변경되었고 AMD는 2003년에 출시한 AMD 애슬론 64 시리즈에도 이미 메모리 컨트롤러를 내장하고 있었다.[82] 인텔(P시리즈, Z시리즈 및 X시리즈), AMD(X시리즈). 이 중 인텔 P시리즈 칩셋은 2020년대 현재 기준으로 이미 10년 이상 지난 구형으로 2008~2011년 시기까지 사용한 메인보드 칩셋 명칭으로 대표적으로 샌디브릿지 메인보드로 나온 P67 칩셋이 있다.[83] 단 CPU가 지원하는 램 속도 정도의 램 오버클럭은 가능한 경우가 있다.[84] 어쌔신크리드나 오버워치는 최대 수십 프레임씩 차이가 나기도 한다.[85] 이런 시스템들은 메모리 오류가 나면 전부 점검하기 번거롭기에 메모리 장착/교체 시에 한 번에 한 채널씩 한다. 문제가 생기면 어디에 문제가 있는지 알아내기 쉽기 때문.[86] 물론 이는 보증기간 내에서 불량이 발생했을 경우에 한한다.[87] 실제로 2024년 4월 29일 네이버 쇼핑 기준으로 삼성 DDR5 5600 16GB 모델의 경우 약 5만 5천원, 마이크론 DDR5 5600 16GB 모델의 경우 약 5만 6천원~5만 7천원에 구매가 가능한데 비해 하이닉스 DDR5 5600 16GB 모델의 경우 약 7만원 초반대의 가격을 보이고 있다.[88] 오류 코드를 친절하게 띄워 준다면 좀 찾기 쉽기는 하다. 램 번호 붙이는 순서를 모를 수도 있는데 보통 설명서에 나와 있고 없다면 제조사 홈페이지에서 받으면 된다. 케이스 옆에 붙인 순서랑 부팅 시 RAM 불러오는 순서와는 다를 수도 있다.[89] 지우개를 사용할 경우 지우개 가루가 램이나 보드에 묻어 있지 않도록 깨끗하게 마무리 해야 한다.[90] Non-ECC UDIMM에 ECC 칩만 추가된 것으로 ECC를 사용하지 않는 컨슈머용 플랫폼에서도 대부분 호환된다. 물론 보드와 CPU가 ECC를 지원하지 않으면 비트 오류 보정은 지원하지 않는다.[91] 버퍼(레지스터)가 추가되어 더 많은 개수/용량의 구성이 가능하다.[92] 버퍼가 데이터 신호까지 제어할 수 있다.[93] ECC 램을 사용하는 C2xx 시리즈 보드에서 사용이 가능하지만 ECC 기능 자체는 사용할 수 없다[94] APU를 제외한 전 라인업 ECC 지원이다.[95] 8 GB 구성 자체는 2005년 4월에 출시된 955X 칩셋의 메인보드부터 가능했으나, 비싼 HEDT 라인이라 널리 채택된 구성이 아니었다. 2006년 6월 965 칩셋부터는 일반 가정용 보드에도 구축할 수 있게 되었으나, 이 역시 고사양 유저 한정이었고 2007년 DDR3가 처음 도입된 X38, P35, G33 칩셋의 보드, DDR2만 지원하는 G35, G31 칩셋의 보드, 2008년 DDR2와 DDR3가 혼재된 X48, P45, P43, G45, G43, G41 칩셋의 보드들도 마찬가지로 8 GB 구성은 고사양 유저들의 전유물 취급이었으며 4 GB 이하가 대부분이었다. 2008년 DDR3만 지원하는 X58 칩셋의 보드와 조합된 블룸필드 CPU는 애초에 트리플 채널을 지원하는 고가형이라 일반 가정용이라기보단 HEDT 라인에 가까웠으므로, 8 GB 유저층이 얇은 것은 2009년 9월 린필드 CPU가 나오기 직전까지 이어졌다.[96] DDR4 SDRAM 제품은 4 GB 용량부터 판매되었다.[97] 흔히 시금치 램이라고 부르는 삼성 메모리가 많이 해당된다.