| {{{#!wiki style="margin: 0 -10px -5px; min-height: calc(1.5em + 5px)" {{{#!folding [ 펼치기 · 접기 ] {{{#!wiki style="margin:-5px -1px -11px" | 2025년 12월 17일 기준 CompaniesMarketCap 집계 | ||
| 순위 | 기업 | 시가총액 (USD) | |
| 1 | | 3,941.3억 | |
| 2 | | 3,684.8억 | |
| 3 | | 2,816.8억 | |
| 4 | | 2,643.2억 | |
| 5 | | 2,606.7억 | |
| 6 | | 2,356.5억 | |
| 7 | | 2,141.1억 | |
| 8 | | 2,122.6억 | |
| 9 | | 2,006.7억 | |
| 10 | | 1,807.6억 | |
| 11 | | 1,766.1억 | |
| 12 | | 1,746.9억 | |
| 13 | | 1,700.2억 | |
| 14 | | 1,585.6억 | |
| 15 | | 1,525.6억 | |
| 16 | | 1,488.3억 | |
| 17 | | 1,438.0억 | |
| 18 | | 1,408.0억 | |
| 19 | | 1,404.6억 | |
| 20 | | 1,276.5억 | |
| 21 | | 1,276.3억 | |
| 22 | | 1,248.3억 | |
| 23 | | 1,235.2억 | |
| 24 | | 1,190.2억 | |
| 25 | | 1,175.0억 | |
| 26 | | 1,165.8억 | |
| 27 | | 1,154.1억 | |
| 28 | | 1,083.0억 | |
| 29 | | 1,051.2억 | |
| 30 | | 1,051.1억 | |
| [[미국| | }}}}}}}}} | ||
| <colbgcolor=#0f238c><colcolor=#fff> ASML | |
| | |
| 정식 명칭 | ASML Holding N.V. |
| 국가 | |
| 설립 | 1984년 4월 1일 ([age(1984-04-01)]주년) |
| 경영진 | CEO 크리스토피 푸케 |
| 산업 | 반도체 |
| 시가총액 | 4,391억 달러 (2025년 12월) |
| 부채 | 301억 유로 (2024년 12월) |
| 자본 | 185억 유로 (2024년 12월) |
| 판매대수 | 418유닛 (2024년 연결) |
| 수주잔고 | 189억 유로 (2024년 연결) |
| 매출 | 283억 유로 (2024년 연결) |
| 순이익 | 76억 유로 (2024년 연결) |
| 잉여현금흐름 | 91억 유로 (2024년 연결) |
| 고용 인원 | 약 42,420명(2023년 연결) |
| 링크 | |
| <nopad> |
| High NA EUV - EXE: 5000[1] |
1. 개요
| <nopad> |
| 거인들의 어깨 위에 올라서서 (2024)[2] |
| <nopad> |
| Unveiling High NA EUV (2024) |
네덜란드의 반도체 공정 장비 제조 기업.
포토 리소그래피 장비[3]를 제조하며, 세계 반도체 제조 공정 장비 시장에서 압도적인 점유율을 보이는 1위 회사로 영향력이 막대한 기업이다. 네덜란드에 본사를 둔 기업들 중 단연 시가총액 1위.
2. 특징
ASML은 반도체 업계에서 중요한 회사지만, 반도체 칩 자체를 만드는 회사는 아니다. 반도체를 만드는 공정에 사용되는 장비, 그 중에서도 포토 리소그래피 장비를 거의 독점적으로 제작하고 있는 기술기업이다.웨이퍼에서 층층히 쌓아올려가며 제작되는 반도체 집적회로 제작에 있어, 제일 아래층의 정밀함은 반도체의 품질에 절대적인데, 이 회로를 작게 그리면 그릴수록 집적회로 전체의 정밀성이 증가, 즉 더 마구잡이로 트랜지스터를 욱여넣어 집적하는 것이 가능하다. 그런데, 이미 나노 단위로 정밀해진 회로의 가장 정밀한 부분을 "직접 그린다"는 것은 물리적으로 불가능하다.
따라서, 빛에 반응하는 광저항성 물질(photo resist)을 감광액으로 미리 정해진 패턴을 따라 도포한 후, 특정 주파수의 빛에 노출시켜(노광) 화학반응을 유도, 감광액이 뿌려진 패턴대로 실리콘 웨이퍼 위에 회로가 그려지게 되고, 이렇게 그려진 회로는 생산하려는 집적회로 칩 전체의 근간이 된다.
ASML은 이러한 포토공정에 사용되는 장비[4]를 설계하고 제작한다.
문제는 이 방식으로도 회로의 정밀성을 높이는데 물리적인 한계가 존재한다는 것인데, 바로 빛의 회절 문제이다. 이 때문에 해당 공정은 회절 효과까지 이용해서 패턴을 그리는 방식으로 이 문제를 우회하고 있는데, 파장이 클 수록 정밀성을 확보하는데 필요한 렌즈의 크기가 무한대로 수렴해버리는 문제가 있기 때문에, 이 제조공정은 사용 가능한 빛의 주파수 한도에 물리적인 한계가 걸려있다.
물론, "더 짧은 파장"을 사용하면 당연히 더 작은 렌즈만이 필요해지고 렌즈의 크기라는 물리적 한계가 더 크게 극복되어 더욱 정밀한 공정이 가능해진다. 그런데, 어느 수준보다 더 짧아진 파장의 전자기파는 너무 많은 에너지를 가지고 있어 대부분의 물질에 투과되거나 반사되지 않고, 전자를 방출하고 소멸해버린다.[5] 이렇게되면 파장의 출력을 허공에 날려버리게 되는 것은 물론이오, 애초에 일반적인 렌즈로 정상적으로 굴절시키는 것부터가 불가능하니 그냥 사용 자체가 불가능했다.
키노시타 히로를 시작으로 이렇게 "초자외선" (Extreme Ultra Violet)을 이용하여 포토 공정 장비를 만드려는 노력이 시작되었는데, 극초기에는 "EUV를 굴절시킬 수는 있다"는 이론의 검증만이 가능했을 뿐 큰 진전을 보기는 어려웠다. 이는 EUV를 만드는 당시의 '일반적' 방법에는 크고 아름다운 입자 가속기가 필요한 것은 물론, 용케 EUV를 제대로 굴절시킬 수 있는 렌즈를 만들기 위한 소재공학적 방법론이 발명되더라도, 그것을 정밀하게 제작할 기술이 전무했기 때문에 사실상 뭘 연구한다는게 불가능한 수준이었기 때문이다.
그런데, 냉전 말기에 들어 미국이 군사연구로 산출한 기술들을 민간에 풀어 상업화시키는 과정에서, 열핵무기 제조에 사용되는 광학기술[6]을 비롯한 중대한 연구 지원을 AT&T를 통해 제공하였고, 바로 이를 통해 EUV 파장 자체를 발생시키기 위한 더 '현실적'인 방법과 EUV를 제대로 굴절 시킬 수 있는 렌즈가 개발되게 되었으며, 도중에 정부 지원이 끊겼음에도 공정 개선의 정체를 뚫고자하던 기업들의 막대한 투자로 인해 계속 강행되었고, 실증용 프로토타입 제작이 성사되게 되었다.
그런데, 결국 이 시도의 시작부터 발목을 잡던 문제로 인해 이 실증용 프로토타입은 상업성이 전무한 문제를 가졌다. 렌즈를 아무리 정밀하게 만든다해도 한계가 있기 때문에 렌즈를 여러개 사용해서 레이저를 다듬어줘야하는데, 문제는 EUV가 문자 그대로 이온화 방사선이다보니 렌즈를 통과하는 족족 에너지가 빨려나가 충분한 개수의 웨이퍼에 회로를 그릴만한 출력이 남지 않는다는 것이었다.
이걸 해결하려만 방법은 두 가지로, 더 강력한 레이저 출력을 확보하는 것, 그리고 더 정밀한 렌즈를 만드는 것 뿐이었다. 이것은 처음 이 시도가 시작되었을 때와 동일한 문제가 그대로 남아버린 것으로, 실질적으로 "렌즈 배치"말고는 무엇하나 완성된게 없었던 것과 다름없다. 막말로 "레이저는 조상님이 쏴주시고, 렌즈는 염라대왕이 깎아주시냐?"란 소리를 들을 상황이었던 것.
즉, EUV 포토 공정 장비 기술은 "지구는 둥그니까 이론적으로 한 바퀴 돌 수 있다"(...)는 수준에는 도달했지만 "그래서 대체 지구를 어떻게 한 바퀴 도느냐?"에 대한 답은 가지고 있지 못했다. 이렇게 연구가 붕 뜨는가 싶은 중에 연구를 승계한 것이 ASML 사이다.
이 ASML 사가 문제를 해결한 방법이 참 특이한 방식으로 대단한대, 요약하면 그냥 지구를 한 바퀴 돌기라고 할 수 있다.
일단, ZEISS 사는 ASML 사가 독일에 인접하여 네덜란드에 위치한 지리를 이점 삼아 긴밀한 협력을 통해 초정밀 렌즈를 지속 공급하여 렌즈 문제를 '해결' 해주었다.[7] 물론 말이 좋아 '해결'이지 제 아무리 ZEISS 사라해도 EUV가 렌즈에 굴절되면서 낭비되는 에너지를 해결해 줄수는 없었다. 즉, "더 나은 목재 범선"을 만들어준 것이지 "증기선"을 만들어준 건 아니라는 것이다.
ASML사는 여기서 렌즈 소재 개선을 통한 흡수율 개선을 노리기보다는, 레이저의 출력 자체를 증강하는 방법을 밀어붙였다.[8] ASML사는 기존 프로토타입의 방식 그대로, 방전 생성 플라즈마(Discharge Produced Plasma)라는 방식을 활용하기로 하였는데, 따라서 ASML 사가 연구한 방식은 기존의 프로토타입과 거의 비슷한 것이었다. 하지만 기존에 제논을 사용하던 방식은 제논을 자극할 때 두 파장의 전자기파가 방출되어 출력의 반을 날려먹는 문제가 있었고, 이 문제에 대한 해답으로 주석을 대체 물질로 사용하였다.
이 과정에서, 흡수되는 에너지를 최소화 하기 위해 주석을 극도로 미세한 방울로 방출시켜 거기다가 레이저를 맞춰서 플라즈마를 방출시킨다는 발상을 해냈고, ASML이 "직접" 찾아낸 "발견"은 사실상 이것 하나라고 할 수 있으며, ASML이 실용화시킨 장비 또한 본질적으로는 기존의 프로토타입과 동일한 것이다. 이후, 이 "발상"을 실현시키기 위해 장장 13년에 달하는 엄청난 시간과 예산을 소모하며 고난의 세월을 보냈는데, 이 "방법"은 거의 대부분, 인류 문명이 이미 발견/발명한 지식과 기술만을 사용하여 실현되었다.
주석 제트를 뿜어내기 위해 만들어낸 프로로토 타입은 어째서인지 "그냥 원하는대로 제트를 뿜어줬다", 공교롭게도 이 현상에 대해서는 이미 연구가 완료되어 논문으로 공식까지 도출되어있었으며, 어떻게 현상을 활용해야할지도 설명이 끝나있었었기에, ASML 사에겐 정밀한 실제 장치로 구현하는 것만이 필요했다. 그리고, ASML 사는 그렇게 필요한 장치를 만들어 제트 구현에 성공한다.
이렇게 제트를 뿜는 장비를 만들고 주석 제트에 레이저를 갈겨서 레이저를 만드는 방법을 만들고나자 봉착한 문제는, 이렇게 "명중(?)" 시킨 주석 방울이 얌전히 플라즈마만 뿜어주는 게 아니라는 것.[9] 지극히 당연히 폭발하면서 대량의 폐열을 발생시키는 것은 물론, 절대로 티 하나 있어서는 안되는 그 귀중한 ZEISS 사의 렌즈에 자랑스럽게 낙하, 렌즈를 순식간에 쓰레기로 바꿔놓는 문제를 유발했다. ASML 사는 비교적 '간단한 대책'으로 냉각된 수소 기체를 이용하여 주석 제트를 조율하는 방법을 채택한다. 그런데, 수소는 인화성이다. 당연히 제빨리 새로 냉각된 수소 기체로 교환하지 않으면[10] 이제는 기기 전체가 폭발하게 된다. (...)
이를 해결하려면 방법은 두가지인데, "수소보다 더 나은 방법으로 해결한다" 혹은 "그냥 수소를 매우 적절한 속도로 공급, 교환시켜서 해결한다." 였다. 일반적인 연구 방식이라면 전자로 흐르기 마련이었겠으나 ASML은 이번에도 "그냥 지구를 한 바퀴 돈다"를 택한다. ASML 사는 공정을 연구하는 도중 수소 가스가 일종의 폭발흔을 만들어내는 것을 발견하였고, 이러한 현상은 매우 쉽게 재현이 가능했기 때문에 "우연"으로 치부할 수 없다고 판단했다. 그런데 바로 이 현상을 설명하는 논문이 존재했다. 테일러, 세도프, 폰 노이만에 의해 현상이 규명되어 "테일러-폰 노이만-세도프 공식으로 연산 방법까지 다 이미 결론이 나와있던 것.[11]
이렇게 ASML 사는 상용화에 거의 다다가게 되는데, 레이저의 출력은 여러 중대 혁신에도 불구하고 여전히 부족했다. 레이저의 출력 자체를 높이는 건 많이 진행되었으나, 여전히 렌즈 효율 문제로 출력 손실이 심각했던 것. 그런데, 이 문제는 ZEISS 사가 해결해주었다.
물론, 이러고도 출력은 여전히 턱도 없이 부족했고, ASML 사의 연구는 여기에서 가로막혀서 한동안 진전을 보지 못하였다. ASML 사는 처음으로 기존의 프로토방식을 그대로 계승해온 방식으로는 충분한 상업성을 갖춘 상태로 상용화 할 수 없으리라 여겨, 아예 방법론을 싹 갈아엎을 각오로 차세대 시제품을 만들 방법을 연구할 수 밖에 없다고 판단했다. 즉, 아직 기존 연구의 최종 시제품도 안 나왔는데 차세대 기술(...) 개발에 착수한 것이다.
그런데, 이 과정에서 주석 방울에 특정 조건으로 레이저를 맞추면 주석이 반죽처럼 펼처지는 현상이 발견되었다.[12] 그리고, 이렇게 펼처진 주석 방울에 다시 적절히 레이저를 맞춰주면, 주석을 한꺼번에 폭발시켜 플라즈마를 발생시키는 게 가능함이 밝혀졌고[13] 이를 바탕으로 상용화에 성공하게 된다.
최종적으로 ASML 사가 완성한 제품은 미국에서 연구가 진행되던 시절에 만들어진 첫 시제품과 본질적으로는 거의 같다. 단지, "진짜로 EUV로 더 정밀하게 회로를 그린다"는 참 대책 없는 모험(...)을 실현시키는 과정에서 인류 문명 발견/발명의 집대성이 되었을 뿐이다.[14] 1세대 장비의 생산에 착수하자마자 개발이 시작된 2세대 모델 또한 1세대의 상용화를 성공시킨 방식을 더 파고들어 만들어진 것이고 해당 연구는 일사천리로 진행되었다.
그야말로, "거인의 어깨 위에 올라서서 세상을 보라"는 격언을 극한으로 실현시켜낸 것이다.
2010년대 후반부터 7nm 이하 미세공정이 대세가 되었는데, 이러한 미세공정에 필요한 EUV 장비를 제작할 수 있는 회사는 지금도 전 세계에서 ASML 한 곳 뿐이다.[15] EUV 장비의 평균판매단가는 1억 8,000만 유로가 넘어가는데, 연간 생산량이 50대 내외 수준이라 이마저도 받으려면 줄을 서서 기다려야 한다. 생산량이 매우 적고 대기 물량이 많다는 점으로 인해 슈퍼 을 기업으로 불리며 영향력이 매우 높아졌다. 2021년 기준으로 노광장비 시장에서 91%(니콘 6%, 캐논 3%)의 점유율로 업계 선두를 지키고 있다.
EUV 장비에 이런 거액을 지불할 여력이 되는 반도체 기업이 전 세계에 삼성 파운드리, TSMC, 인텔 파운드리를 포함해서 한 손으로 꼽을 정도라 고객사가 상당히 한정되어 있다. 중국 기업들의 경우 서방의 제재로 인해 14nm 이하의 공정을 제공하는 노광장비는 사고싶어도 못사는 처지다. 덕분에 TSMC나 삼성 등이 신규 공장 증설 등의 대규모 투자 계획을 발표할 때마다 주가가 오르는 대표적인 기업이다.
3. 역사
네덜란드 필립스와 ASM의 합작[16]으로 1984년에 네덜란드 에인트호벤의 필립스 사옥 옆 목재 건물에서 설립되었다. 같은 해에 PAS 2000 Stepper를 출시하였다. (PAS 2000 사진 및 간략한 설명). 이 장치의 간략한 성능은 분해능 1.2㎛, 오버레이는 250㎚에 100㎜ 웨이퍼를 이용 가능했고 시간당 40개의 물량을 소화할 수 있었다. 이후 1985년에 현재까지도 본사가 위치하고있는 벨트호벤으로 이사를 하였다.1986년에는 이 회사에서 PAS 2500 Stepper를 개발하여 판매하였다.[17] 이 장치가 시장에서 호평을 얻으면서 본격적으로 반도체 노광장비 시장에 이름을 날리기 시작했다.
1988년에는 필립스와 합작하여 대만에 공장을 세우고 미국에도 84명의 직원에 5개의 지점을 만들면서 아시아,미국 등 세계 시장 개척에 본격적으로 나서기 시작했다. 그리고 이때 ASM이 합작법인에서 철수하면서 필립스가 그 지분을 인수했다. 그리고 1989년에는 PAS 5000을 개발했다. 이건 분해능 500㎚급에 오버레이 100㎚의 성능을 보유한 장비이다.
1991년 PAS 5500 Stepper/Scanner를 출시했다. 현재는 예전만큼 많이 쓰이지 않지만 당시에는 대세였던 200㎜ 웨이퍼를 이용한 반도체 대량 생산을 위해 만들어진 장치이다. 이 제품의 경우 초기버전은 Stepper 방식을 유지하고 있었지만 후기 버전들은 방식이 개선이 되면서 Scanner 방식을 이용하였다. 분해능은 90~400㎚에 오버레이는 12~100㎚까지 소화가능하다. 그리고 이때 노광기술도 같이 발전하게 되었는데 과거에 쓰이던 G-line(436㎚),H-line(405㎚)에 비해 파장의 길이가 365㎚로 보다 더 짧은 l-line와 함께 High Numerical Aperture(고개구수) KrF(불화크립톤)과 ArF(불화아르곤) 엑시머 레이저를 이용하게 되었다. KrF의 경우 파장의 길이가 248㎚이고 ArF는 193㎚이다. 파장의 길이가 짧을수록 집적화에 유리하므로 200㎚대까지는 i-line을 이용했고 110㎚급까지는 주로 KrF를 이용했고 90㎚대는 ArF를 주로 이용했다. 물론 DPT 기술이 개발되면서 저가 시장을 노리고 80㎚의 집적도를 형성할 수 있는 장비에서도 KrF를 사용한 사례도 있다.
스태퍼와 스캐너의 차이는 회로를 웨이퍼에 그려내는 방식에서 차이를 보인다. 스태퍼의 경우에는 회로 패턴을 렌즈를 이용하여 통째로 축소시켜 한 번에 사진찍듯이 찍어내는 방식이고 스캐너는 마스크(MASK = Reticle)라고 불리는 틀의 역할을 하는 것과 웨이퍼 다이를 이동시켜서 선으로 회로를 그려내는 방식이다. 말만 들어서는 스태퍼가 인쇄속도도 빠르고 좋게 보일 수도 있지만 웨이퍼나 회로의 크기가 조금만 달라져도 렌즈를 바꿔줘야돼서 속도가 스캐너보다 빠르지 않고 무엇보다 분해능이 심각하게 떨어지는 편이라 2000년대 들어서는 사장된 장비이다. 쉽게 말하면 스태퍼는 이름대로 발로 눌러서 한 번에 찍어내듯이 찍는 방식이고 스캐너는 한줄한줄 그려서 회로를 찍어내는 방식이다. 현재 가장 최신 기술이 들어간 EUV 장비의 경우에도 기본적인 방식은 스캐너 방식을 따라가고 있다.
1995년에는 IPO를 통해 주식시장에 상장하였고 이와 동시에 필립스에서 ASML의 잔여 지분을 대부분 매각하면서 독립 회사가 되었고 현재도 이 체제가 유지되고 있다.
그리고 2001년에는 이 회사가 현재의 독보적인 노광장치 업체로 발돋움 할 수 있게 한 TwinScan 방식을 개발해낸다. 웨이퍼에 패턴을 노광하기 위해서 먼저 Wafer 어느 위치에 노광을 할지 위치를 결정하는 작업(웨이퍼 표면의 이전 Layer에서 만든 Align key를 읽어 패턴을 생성할 좌표(X,Y)를 결정하는 Align 작업과 웨이퍼의 높이를 정밀하게 측정하여 Focus(Z)를 결정하는 Leveling 작업)을 진행한다. TwinScan 방식은 설비 내에 2개의 스테이지가 있어 한쪽 스테이지가 노광 중일 때, 동시에 반대쪽 스테이지는 다음 웨이퍼를 미리 받아 Align/Leveling 작업을 진행하여 단위 시간당 처리가능한 웨이퍼를 경쟁사 대비 극대화 시킨 ASML사의 핵심 기술이다.[18]
2007년에 TWINSCAN XT 라인업의 이머전 TWINSCAN XT:1900i 실기기가 고객사들에게 공급되기 시작하였다. 이 라인업의 제품들은 현재까지도 현역으로 활약하고 있고 가격이 대당 900억 혹은 그 이상인 비싼 장비인지라 쉽게 교체하기는 힘들다. (TWINSCAN XT:1900i 사양서 분해능 40㎚에 레이아웃은 6㎚로 스캔 속도는 600㎜/s 시간당 131개의 웨이퍼를 처리할 수 있는 성능을 보유하였다.)
2012년 10월 EUV 및 DUV 생성을 위한 부속품 제조사인 미국의 사이머 인수를 발표했다. # 일본의 기가포톤과 더불어 업계 선두권을 형성하고 있는 업체다.
2013년 5월 공정거래위원회를 비롯하여 대부분의 국가에서 조건부 승인을 얻으며 37억 달러에 사이머 인수를 마무리지었다. # 해당 시장은 소수 업체 위주로 형성되었기 때문에, 공정 거래를 위한 양사의 판매 부문 독립 운영 등이 주요 조건으로 걸렸다.
최근에는 이머전 ArF 멀티플 패터닝의 한계를 극복하는 방법으로 각광받는 EUV[19] 기술을 적용해서 더블 패터닝만으로 7㎚를 구현할 수 있는 TWINSCAN NXE를 세계에서 유일하게 생산하고 있다. 파장의 길이가 193㎚인 불화아르곤 레이저를 이머전 기술로 광학적인 개구수(NA)를 늘린다고 해도 단일 패터닝 방식으로는 38㎚가 한계였고 더블 패터닝 방식을 이용한다고해도 19㎚이다. 물론 여기서 식각과 포토 공정을 몇 번 더 거치는 트리플, 쿼드 등의 멀티플 패터닝 방식을 이용해서 미세화를 시킬 수는 있지만 이렇게 되면 공정이 복잡해질뿐더러 불량률은 올라가면서 생산량이 떨어지는 결과를 낳게 된다. 반면 EUV는 초단파로 파장의 길이가 13.5㎚로 기존의 ArF보다 1/14 미만으로 굉장히 짧고 이 덕분에 ArF를 이용하는 것보다 미세화, 집적화에 훨씬 유리해서 대안으로 각광을 받기 시작한 것이다. 다만, EUV는 오직 진공에서만 빛이 유지가 되기에 (세상의 모든 물질은 EUV를 흡수한다.) 광로가 모두 진공 혹은 저압의 수소 환경이 되고 이에 따라 기술적 어려움이 폭증하는 사태가 발생했다.
이는 2012년 시작된 EUV 공동투자 프로그램의 결과물이다. 팹을 보유하고 있는 고객사가 직접 의결권이 없는 ASML 주식에 투자[20]하고 EUV 개발비에 기여하는 방식이다.[21] 투자한 고객사는 EUV 장비를 선구매 가능하다. EUV 장비를 처음으로 발주하기 시작한건 삼성전자였지만 파운드리 시장 1위인 대만의 TSMC에서도 7㎚ EUV 양산 테스트를 성공적으로 마치면서 EUV장비 확보에 열을 올리기 시작했다. 2019년 하반기 기준, 두 선발주자들이 EUV 장비를 이용한 포토 공정에서의 안정화 단계에 이제 막 접어들고 있는 상황이며 ASML도 지속적으로 장비를 개선 중이다. 인텔은 2021년부터 본격적으로 도입을 시작할 예정이다.
2022년 공급난으로 인해 EUV 생산에 어려움을 겪었다. 한편 마이크론과 SK 하이닉스 등 메모리 제조업체도 EUV 장비 수급에 본격적으로 열을 올리기 시작했다. 6세대 DRAM과 HBM, 300단대 NAND 분야가 주력이다.
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미국정부는 미국-중국 무역 전쟁의 디커플링(탈동조화) 전략의 일환으로 네덜란드 정부에게 ASML의 최신 EUV의 중국 수출금지를 요청했다. 하지만 ASML 본사는 이익을 이유로 해당 요청에 난색을 표하고, 네덜란드 외교통상부 장관도 네덜란드의 국익과 미국의 국익이 늘 일치하는 것은 아니라며 국가적 입장에서도 미국의 요청을 부정적으로 보고 있다. #
2022년 EUV 매출은 전부 NXE:3600D이었다. 40대를 판매했다.
화웨이가 노광장비를 생산하겠다고 선언한데 이어서 ASML의 중국계 직원이 기밀자료를 유출했다고 한다. 화웨이의 성장과정에서 노텔의 기술을 훔쳐서 큰 이익을 본 것을 생각하면 ASML로서도 쉽게 여길 상황은 아닌 듯하다. #
2023년 3월 네덜란드는 ASML 장비의 중국 수출제한을 더 강화하기로 결정했다. 미중간의 갈등이 심화되고 있고 생산하는 장비의 핵심 기술 중 상당수가 미국기업이 가지고 있는 것이라 여러 제한이 걸릴 수 밖에 없다고 한다. #
2023년 9월 화웨이 메이트 60 시리즈에 탑재된 기린 9000s 칩이 미국의 제재에도 불구하고 7nm로 생산되었다는 소식이 전해져서 충격을 주었는데, 이후 10월에는 SMIC가 ASML의 DUV 장비를 통해 제조했다는 관계자의 발언이 나왔다. # 해당 장비는 미국의 수출 규제로 인해 9월부터 중국에 판매가 중단되었으나, 수출 라이선스가 연말까지 남아있어 실질적인 통제로 이어지진 않은 것이다. 이번 건으로 인해 보다 세부적인 미국의 제재가 예상된다. ASML은 2019년부터는 EUV 노광장비 중국 수출을 중단한 것으로 알려졌고 내년부터는 EUV보다 이전 세대 기술 제품인 DUV 노광장비의 중국 수출을 중단할 예정이다.
2023년 11월 피터 베닝크 CEO가 2024년 1분기 내로 정년 퇴임 의사를 밝혔으며, 후임으로는 이듬해 4월부터 크리스토피 푸케가 임명된다.
2023년 12월 21일 0.55NA 집광력이 탑재된 EXE:5000의 첫 번째 모듈을 인텔 파운드리의 오리건 공장으로 납품했다고 밝히면서 본격적인 출하가 시작되었다. 인텔 14A 공정을 시작으로 TSMC, 삼성전자, SK하이닉스까지 계약을 체결해둔 네 곳의 업체의 2nm 이하 공정에 도입될 예정이다.# 예상가격이 현재 EUV 장비 한대 가격인 약 2,000억원대를 훌쩍 뛰어넘어 무려 대당 5,000억원 수준에 이를 것으로 보인다. 현행 EUV 장비에 사용되는 렌즈(미러)의 NA값이 0.33인데 이를 0.55로 크기를 키워 더욱 미세한 노광공정을 구현할 수 있다고 한다. 2022년, 과거 공동투자 프로그램에 가장 많은 개발비를 투자한 인텔 파운드리에 2024년까지 EXE:5200 여섯 대를 우선 공급하기로 계약을 체결했다. 해당 장비는 2025년 14A 공정에 쓰이며 옹스트롬 시대를 열 예정이다. 차세대 장비인 EXE:5400과 EXE:5600도 향후 몇 년에 걸쳐서 출시할 예정이다.
2024년 1월 1일 보도에 의하면 네덜란드 정부가 일부 중국 수출 품목에 대한 제동을 걸었다고 한다. 다만 새로운 품목이 아니라, 지난해 이미 받았던 14nm급 이상의 DUV 노광장비의 선적 면허를 취소해버렸다는 점에서 화제성을 띈다. # 상술된 수출 우회 논란을 해결하며, 미국의 결정에 따르려는 태도를 어필하는 것으로 보인다.
2024년 1월에 발표한 2023년 연결 실적 결과에 따르면, 중국 매출 비중이 지난해 대비 14%에서 29%로 무섭게 치고 올라오면서 미중무역전쟁 리스크가 더욱 커질 전망이다. 중국 비중이 높은 DUV 매출 증가율이 EUV 증가율을 더블스코어로 누른 탓이다. 특히 ArFi 대역 기기의 판매 증가율이 두드러졌다. 대한민국은 3위로 밀렸다. 4분기만을 기준으로 한다면 중국 비중이 무려 39%까지 높아진다.
2024년 3월, 네덜란드 정부가 이민 제한 등의 정책을 시행하자 ASML은 정부 정책에 반대하며 여의치 않을 경우 아예 네덜란드를 떠나서 해외에 본사를 새로 설치하는 것도 고려하겠다고 밝혔다. # 이렇게 되자 마르크 뤼터 내각은 '베토벤 작전' 태스크포스를 꾸려 ASML 지원 대책 마련에 나섰지만 2023년 11월 총선에서 자유당(PVV)가 승리한 탓에 합의점 마련이 쉽지 않을 전망이다. #
2024년 4월 17일 실적 발표에서 수주액, 매출, 순이익이 각각 전분기 대비 61%, 27%, 40% 급락했다는 다소 충격적인 소식을 전하면서, 주가가 7% 가까이 급락했으며 필라델피아 반도체지수도 급락하는 등 반도체 섹터에 우려감을 가중시켰다.[22] EUV 매출 감소가 뼈아픈 실적 부진의 주된 원인이었으며, 이로 인해 시스템 분야 중국 매출 비중이 49%까지 급등하여 미국-중국 무역 전쟁발 리스크는 더욱 심화되는 꼴이 되었다.
4월 22일 에인트호번 당국과 자국 내 사업 확장 관련 의향서에 서명했다는 소식이 알려졌다. 구체적으로는 최근 당국이 에인트호번 부근 25억 달러 규모의 지원책을 발표하자, 북쪽 공항 인근 저개발 지역에 2만명의 신규 직원을 수용 가능할 수준의 투자를 진행하겠다는 내용이 담겨있다. # 이번 투자건은 프랑스 등 앞선 해외 투자 계획을 대체할 것으로 보인다.
2025년 1월 29일, 연간 실적 발표회를 진행했다. 캐시카우인 동시에 차세대 사업인 EUV 분야가 부진한 가운데, ASML의 DUV 장비를 기반으로 DRAM 저가공세에 들어간 중국 업체들의 수요 덕분에 특히 Arfi 노광장비 매출이 약진하는 모습을 보였다. 다만 작년까지 잉여현금흐름 전량에 가까운 금액을 배당금 지급과 자사주 매입에 투입하는 등 적극적인 주주환원 정책을 보인 것에 반해 올해에는 일부 금액만을 투자하는 행보를 걸었다.
2025년 9월, Mistral AI의 17억유로 규모 시리즈 C 라운드에 홀로 13억유로를 투자하며 지분 13%를 확보해 최대주주로 올라섰다는 소식을 알렸다.
4. 경쟁업체
- 노광장비 시장에서 그나마 경쟁사라고 할 수 있는 기업들로는 캐논과 니콘이 있다. 우선 니콘은 위에 나온 멀티플 패터닝 장비를 출하하는데 주 고객사들이 EUV 장비로 갈아타는 추세다. 굳이 EUV 장비가 아닌 DUV 시장에서도 니콘은 ASML에게 완패하고 있는 것이 현실이다. 캐논의 경우, 2023년 시점에서 'NIL(나노 임프린트 리소그래피)방식의 초미세공법'을 상용화하였다. UV 감광액을 실리콘 웨이퍼에 코팅한 후 패턴이 그려진 스탬프를 이용하여 압력을 가하면 패턴이 형성되고 이를 UV로 쪼아주면 굳어서 회로가 만들어지는 것을 이용한 공법이다.[23]
- 미국 주도로 서방의 제재를 받고 있는 중국의 경우, SMEE가 이제서야 28nm DUV 노광장비 개발을 하고 있을 정도로 ASML이 독점하고 있는 EUV 노광장비 시장은 중국 반도체 자립화에 있어서 가장 큰 약점으로 뽑히는 분야다. 반면 ArF 레이저에서 안정제 역할을 하는 네온 등 희귀 가스 공급망에 있어서는 강세를 띄고 있다. 2024년부터 7nm는 물론 14nm급 이상의 DUV 노광장비 수출도 중단되었기 때문에, 향후 중국이 자급자족으로 7nm 이하급 반도체를 양산할 수 있을 지에 대한 관심이 쏠려 있는 상황이다.
5. 판매실적
| 사용처 | 매출(EUR) | 비중 | 비고 |
| 로직 반도체 | 132억 | 47% | [24] |
| 메모리 반도체 | 86억 | 30% | [25] |
| 서비스 / 필드옵션 | 65억 | 23% | |
| 2024년 기준# | |||
| 분야 | 판매량(대) | 매출(EUR) | 비고 |
| EUV | 44 | 83억 | [26] |
| ArFi | 129 | 96억 | [27] |
| ArF | 28 | 9억 | [28] |
| KrF | 152 | 20억 | [29] |
| I-Line | 65 | 4억 | [30] |
| MI | 6억 | [31] | |
| 2024년 기준# | |||
6. 여담
- 2012년 공동투자 프로그램에 참여한 삼성전자가 지분 3%를 3,630억 원에 매입한 뒤 2016년과 2023년에 일부 매각하여 2023년 9월 기준 0.4%만 보유하고 있다. 2억 유로 가량의 쏠쏠한 차익을 보았으나, 해당 프로그램에 가장 적은 투자금을 넣은 탓에 차세대 EUV 장비 수급에서 뒤쳐지게 되는 악수로 남게 되었다.[32] 해당 투자 결과로 인해 파운드리 업계에서는 아직 후발주자에 불과한 인텔 파운드리가 TSMC와 삼성 파운드리를 제치고 EXE:5200 6대를 우선 공급받아 가장 먼저 2nm 공정 양산에 가까워졌다. 애초에 인텔은 2022년 초에 TSMC, 삼성 파운드리를 제치고 가장 먼저 도입 계약을 체결했으며 앞서 언급되어 있지만 인텔은 공동투자 프로그램에서 가장 적극적이고 많은 재원을 투입했다.
7. 둘러보기
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| 3 | 애플 | 주식 | 4.12조 | [[미국| | |
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| 12 | TSMC | 주식 | 1.50조 | [[대만| | |
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| 14 | 버크셔 해서웨이 | 주식 | 1.10조 | [[미국| | |
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| 16 | 월마트 | 주식 | 8867억 | [[미국| | |
| 17 | JP모간 체이스 | 주식 | 8539억 | [[미국| | |
| 18 | VOO | ETF | 7991억 | - | |
| 19 | IVV | ETF | 7300억 | - | |
| 20 | 텐센트 | 주식 | 7231억 | [[중국| | |
| 21 | SPY | ETF | 6974억 | - | |
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| 23 | 오라클 | 주식 | 5787억 | [[미국| | |
| 24 | VTI | ETF | 5624억 | - | |
| 25 | 엑손모빌 | 주식 | 4980억 | [[미국| | |
| 26 | 존슨앤드존슨 | 주식 | 4976억 | [[미국| | |
| 27 | 마스터카드 | 주식 | 4960억 | [[미국| | |
| 28 | 삼성전자 | 주식 | 4596억 | [[대한민국| | |
| 29 | 넷플릭스 | 주식 | 4595억 | [[미국| | |
| 30 | 백금 | 귀금속 | 4192억 | - | |
| 31 | ASML | 주식 | 4179억 | [[네덜란드| | |
| 32 | 코스트코 | 주식 | 4045억 | [[미국| | |
| 33 | QQQ | ETF | 4012억 | - | |
| 34 | 팔란티어 | 주식 | 3989억 | [[미국| | |
| 35 | 애브비 | 주식 | 3984억 | [[미국| | |
| 36 | 뱅크 오브 아메리카 | 주식 | 3962억 | [[미국| | |
| 37 | 중국농업은행 | 주식 | 3954억 | [[중국| | |
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| 41 | 홈디포 | 주식 | 3589억 | [[미국| | |
| 42 | 중국건설은행 | 주식 | 3570억 | [[중국| | |
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| 54 | 아스트라제네카 | 주식 | 2832억 | [[영국| | |
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| 79 | T-모바일 | 주식 | 2313억 | [[미국| | |
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| 81 | 애보트 | 주식 | 2243억 | [[미국| | |
| 82 | 세일즈포스 | 주식 | 2230억 | [[미국| | |
| 83 | 써모 피셔 사이언티픽 | 주식 | 2214억 | [[미국| | |
| 84 | 맥도날드 | 주식 | 2186억 | [[미국| | |
| 85 | 노보 노디스크 | 주식 | 2173억 | [[덴마크| | |
| 86 | 로열 뱅크 오브 캐나다 | 주식 | 2165억 | [[캐나다| | |
| 87 | 쉘 | 주식 | 2129억 | [[영국| | |
| 88 | 지멘스 | 주식 | 2057억 | [[독일| | |
| 89 | 앱러빈 | 주식 | 2053억 | [[미국| | |
| 90 | 인튜이티브 서지컬 | 주식 | 2046억 | [[미국| | |
| 91 | 펩시코 | 주식 | 2046억 | [[미국| | |
| 92 | 어플라이드 머티어리얼즈 | 주식 | 2006억 | [[미국| | |
| 93 | VUG | ETF | 2005억 | - | |
| 94 | 쇼피파이 | 주식 | 2001억 | [[캐나다| | |
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| 96 | 린데 | 주식 | 1925억 | [[영국| | |
| 97 | 월트 디즈니 | 주식 | 1913억 | [[미국| | |
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| 99 | 씨티그룹 | 주식 | 1899억 | [[미국| | |
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[1] 현재 세계에서 유일하게 2nm 이하 공정을 수행할 수 있는 모델이며 이론상으로 최대 0.5nm(5 옹스트롬) 까지 도달할 수 있다.[2] 아이작 뉴턴의 명언[3] 실리콘 웨이퍼에 집적회로를 프린팅하는 장비. 태우지 않고 화학적으로 결합을 끊을 수 있게 해준다. 통상적으로 자외선 파장이 짧을수록 분해능(resolution)이 높아진다.[4] 노광장비와 검사계측장비가 주력 제품라인이다[5] 말 그대로 이온화 방사선이라는 것이다. (...)[6] 열핵무기의 메카니즘에는 레이저랑 렌즈가 들어간다.[7] 이 연구 과정에서 ZEISS가 이룩한 렌즈 기술의 진보가 얼마나 대단한지, 그리고 이 시도가 가능할 만큼 얼마나 대단한 기술을 누적해왔는지는 두말하면 잔소리다. 얼마나 많은 렌즈를 망가뜨려먹었는지는 덤[8] 베릴륨 소재를 이용하여 소재 자체를 개선하는 방법도 제안되어있었으나 베릴륨은 정밀공정으로 다루기엔 너무 유독했기 때문에 선택하지 않았다고한다.[9] 레이저는 조상님이 쏴서 맞춰주시냐 (...)는 문제는 덤이다. 당연하지만 정확하게 레이저를 맞추는 장비와 그에 필요한 기술은 ASML사와 부품을 제공하는 협력회사들 고유의 특허이지만, 이것 자체가 공정의 핵심인건 아니다.[10] 심지어, 너무 빨리 교환해서 과도한 양의 수소가 주입되면, 주석 대신 수소가 레이저를 두들겨 맞고 발열을 일으키다 폭발(!!!)하는 뭐 어쩌잔건지 모를 가불기가 발생하는 상황이다.[11] 이 현상은 원자핵이 초신성마냥 폭발하면서 발생하는 현상으로 초신성 폭발에서 일어나는 현상과 거의 동치이다.[12] 즉 주석이 제대로 '폭발' 하지 않는 문제 그 자체가 그 문제를 해결하는 열쇠였던 것으로, 사실 이미 해결되어있고 눈치채기만 하면 되는 것이었다. 물론, 일반적으로는 이런 방식으로 해결하는 혁신을 맞이 하기전에 때려치고 다른 소재를 만지작 거리고 있었을것이지만, ASML은 일편단심으로 처음부터 파고든 방식을 그대로 고수한 끝에 모든 해법을 전부 발굴해내기게 이르렀다.[13] 이를 실현하는 것은 당연히 아예 주석을 더 효율적으로 폭발시키는 완전히 새로운 공학적 방법을 찾는 것보다 훨씬 쉬운 일이었다. 시계 부품을 새로 발명해서 만드는게 아니라 더 정확하게 조립하는 것과 같은 것이다.[14] 때문에 덩치는 비교할 수 없을 정도로 어마어마하게 더 거대해졌고, 핵심 원리를 실현하기 위해 사용되는 부품들의 정밀함과 거대함과 복잡함은 두말하면 잔소리다.[15] ASML이 가진 독점적 기술을 제외하고봐도, 필요한 부품을 모아다가 작동하는 EUV 장비로 완성시키는 조립과정 자체가 ASML이 가진 독점 기술력이며, 그야말로 무한한 삽질을 통해 만들어진 혁신인지라 따라한다는 것 자체가 할 짓이 못되는 기행 그 자체라 엄두도 내기 힘들다.[16] ASM은 1988년에, 필립스는 1995년에 ASML의 지분을 처분하였다[17] (PAS 2500/10 STEPPER 사진과 사양서).[18] 경쟁사 니콘은 한 스테이지가 Align/Leveling 이후 노광 작업을 순차적으로 하다보니 생산성이 절반 수준이다.[19] Extreme UltraViolet. 극자외선.[20] 인텔 15%, TSMC 5%, 삼성은 3%의 주식을 취득했다.[21] 2013년부터 2017년까지 인텔 8.3억 유로, TSMC와 삼성은 각각 2.8억 유로를 투자했다.[22] 이는 다음날 TSMC가 양호한 실적을 발표하면서 어느 정도 해소되었다.[23] 비교적 저렴한 UV를 이용해서 장비의 가격 자체가 낮기 때문에 기존의 ArFi 방식에 비해 들어가는 비용이 적다는 장점이 있지만 스탬프가 직접적으로 웨이퍼에 접촉하다보니 그 과정에서 발생하는 찌꺼기 문제나 스탬프의 마모 등의 문제가 있고 공정자체의 태생적인 한계인 UV를 이용한 PR 경화 반응 소요 시간 문제로 생산성이 심각하게 낮다는 문제와 시스템 반도체공정에 적용은 어렵다는 단점이 있다.[24] 비용 최적화가 성능 최적화보다 중요한 메모리 업계와는 다르게 로직 분야의 경우 고객들이 체감 성능에 매우 민감하게 반응하기 때문에 전력소모와 면적 등을 중요시한다. 이로 인해 팹리스 업체들의 수주를 받는 파운드리 업체들은 가격이 비싼 EUV 장비를 적극적으로 도입했으며 매년 성능이 향상된 제품을 제조한다. 이에 따라 업계 점유율 과반 이상을 차지하고 있는 TSMC를 보유한 대만은 2023년 ASML 매출 전체의 30% 가까이를 차지하고 있었으나, 2024년에 EUV 발주가 급격히 줄어들어 2024년에는 고작 11%의 비중만을 차지하게 되었다.[25] 시장 규모도 그렇지만, 대당 가격이 높은 EUV 도입 속도가 로직 대비 늦기 때문에 상대적으로 매출 비중이 낮다. 메모리 업계는 소품종 대량생산 체계이며 로직 대비 체감 스펙에 대한 민감성이 떨어지기 때문에 아직 도입이 시급한 편은 아니다. 또한 EUV 장비는 한 대에 1억 달러를 훌쩍 넘는데, 검사계측장비와 EDA 등을 더하면 비용이 막대하게 불어나기 때문에 이러한 비용을 지불하면서까지 미세한 스펙 향상을 시도할 필요성이 떨어진다. 한편 메모리 반도체 점유율 과반 이상을 차지하고 있는 대한민국은 ASML의 전체 매출 21% 가까이를 차지하며 중국에 이은 2위를 기록하고 있다.[26] 10~124nm 파장의 극자외선 대역. ASML은 13.5nm 파장을 사용한다. 7nm 이하 미세공정에서 주로 쓰인다. EXE:5000과 NXE:3800이 발주 대부분을 차지했다. EXE:5200도 2024년부터 공급되었으나, 생각보다 더딘 판매량을 보이고 있다.[27] 액침불화아르곤. 건식인 ArF와 달리 포토레지스트가 도포된 웨이퍼와 마지막 렌즈 사이에 특수 액체를 넣는 습식(Immersion) 공정 방식을 사용한다. 빛의 굴절률을 더 높여 빛을 더 많이 모으고, 전반사를 줄일수록 회로 패턴이 더 잘 새겨지기 때문이다. NXT2050i와 NXT2100i 장비가 대표적. 중국 DRAM 업계의 저가공세로 인한 막대한 수요로 인해 2022년~2024년의 기간동안 장비 판매량과 매출이 거의 두 배 가까이 급증하며 EUV의 부진 속 효자 분야로 거듭났다.[28] 193nm 파장의 불화아르곤 심자외선 대역. 10~45nm 급의 미세공정에서 주로 쓰인다. NXT 1470 장비가 대표적.[29] 248nm 파장의 불화크립톤 심자외선 대역. NXT870을 비롯하여 XT860N, XT1060K 장비가 대표적.[30] 365nm 파장의 i라인 심자외선 대역. XT400L 장비가 대표적.[31] Metrology & Inspection. 검사계측 장비. YieldStar 라인이 대표적이며 2024년 eScan110 MBI(다중빔검사시스템) 인도가 시작되었다.[32] 인텔은 15%, TSMC는 5% 지분을 매입했다.