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띠틈, Band Gap
전도띠와 원자가띠 사이의 에너지 간격. 직접 띠틈(direct band gap)을 가진 물질과 간접 띠틈(indirect band gap)을 가진 물질이 있다. GaAs는 직접 띠틈 구조이고 규소는 간접 띠틈 구조이다. 규소의 간접 띠틈은 1.12eV , 직접 띠틈은 4.2eV 이다.
띠틈의 크기에 따라서 물질을 도체, 반도체, 부도체로 분류하기도 한다. 도체는 보통 띠틈이 없고 반도체는 띠틈이 작으며 부도체는 띠틈이 크다. 이 분류는 보통 상온의 열에너지값을 기준으로 하나, 절대적인 것은 아니라서 띠틈이 5eV에 가까우면서도 반도체로 활용되는 물질이 있고 띠틈이 그보다 작으면서도 부도체의 성질을 보이는 물질이 있다.
띠 이론은 오비탈의 연장으로, 같은 원자 또는 분자들을 인접시켜 길게 늘어놓았을 때 전자가 채워진 가장 고준위의 분자 오비탈인 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)끼리 중첩되면서 원자가띠를, 전자가 채워지지 않은 가장 저준위의 분자오비탈인 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)끼리 중첩되면서 전도띠를 만들며, 띠틈은 중첩되어 생성된 두 띠의 에너지 차이라고 보고 있다