삼성전자/메모리

상위 문서: 삼성전자/사업

1. 개요2. DRAM

2.1. 제조 공정

2.1.1. 2.4미크론2.1.2. 0.35미크론2.1.3. 90나노2.1.4. 80나노2.1.5. 68나노2.1.6. 56나노2.1.7. 46나노2.1.8. 35나노2.1.9. 28나노2.1.10. 25나노

2.1.10.1. 23나노?

2.1.11. 20나노2.1.12. D1x (18나노)2.1.13. D1y (17나노)2.1.14. D1z (15나노)

2.1.14.1. D1z (EUV)

2.1.15. D1a (14나노)2.1.16. D1b (12나노)2.1.17. D1c2.1.18. D1d

2.2. 제품

2.2.1. DDR2 SDRAM2.2.2. DDR3 SDRAM2.2.3. DDR4 SDRAM2.2.4. DDR5 SDRAM2.2.5. LPDDR3 SDRAM2.2.6. LPDDR4 SDRAM2.2.7. LPDDR4X SDRAM2.2.8. LPDDR5 SDRAM2.2.9. LPDDR5X SDRAM2.2.10. GDDR62.2.11. HBM

2.2.11.1. HBM22.2.11.2. HBM2E2.2.11.3. HBM3

3. 플래시 메모리

3.1. 평면 제조 공정

3.1.1. 90나노3.1.2. 70나노3.1.3. 60나노3.1.4. 50나노3.1.5. 40나노3.1.6. 32나노3.1.7. 27나노3.1.8. 21나노3.1.9. 19나노3.1.10. 16나노3.1.11. 14나노

3.2. 적층 제조 공정

3.2.1. V1(24단)3.2.2. V2(32단)3.2.3. V3(48단)3.2.4. V4(64단)3.2.5. V5(92단)3.2.6. V6(128단)

3.2.6.1. V6 Prime(133단)

3.2.7. V7(176단)3.2.8. V8(236단)3.2.9. V9(286단)3.2.10. V10

3.3. 제품

1. 개요

삼성전자의 메모리 반도체 기술에 대해 다루는 문서이다.

2. DRAM

2.1. 제조 공정

2.1.1. 2.4미크론

1984년에 양산을 시작했다.

2.1.2. 0.35미크론

1992년에 양산을 시작했다. 이때 세계 최초로 16M DRAM을 생산했다.

2.1.3. 90나노

2004년에 양산을 시작했다.

2.1.4. 80나노

2005년에 양산을 시작했다. 6F² 셀 구조를 일부 도입하였다.

2.1.5. 68나노

2006년에 양산을 시작했다. 6F² 셀 구조를 전면 도입하였다.

2.1.6. 56나노

2007년에 양산을 시작했다.

2.1.7. 46나노

2009년에 양산을 시작했다.

2.1.8. 35나노

2010년에 양산을 시작했다.

2.1.9. 28나노

2011년에 양산을 시작했다.

2.1.10. 25나노

2012년에 양산을 시작했다.

2.1.10.1. 23나노?

2.1.11. 20나노

2014년에 양산을 시작했다. 더블 패터닝 및 ALD 기술이 적용되었다. 코드명은 '볼츠만'이다.

2.1.12. D1x (18나노)

2016년에 양산을 시작했다. 최초로 쿼드패터닝이 적용된 세대이다. 증착 공정을 개선하여 유전막의 균일성을 높였고 제어 회로 설계를 개선해 속도를 개선하고 전력 소모를 절감하였다. 코드명은 '파스칼'이다.

2.1.13. D1y (17나노)

2017년에 양산을 시작했다. Sense Amp에 보상 시스템을 적용하여 정확도를 높였고 에어 갭(Air Gap) 공정을 도입하여 기생 커패시턴스를 감소시켰다. 1y 기반 DDR5 D램의 경우 HKMG 기술을 도입해 추가로 성능 및 전력 소모를 개선하였다. 코드명은 '암스트롱'이다.

2.1.14. D1z (15나노)

2019년에 양산을 시작했다. TechInsights의 분석에 따르면 15.7나노급 공정이라고 한다. 코드명은 '케플러'이다.

2.1.14.1. D1z (EUV)

기존 D1z 공정과 design rule은 동일하나 기존 ArFi 사용 시 복잡한 패터닝이 필요한 bit line pad(BLP)에만 EUV가 적용된 공정이다. (1개 레이어) 갤럭시 S21 스마트폰에 탑재된 12Gb LPDDR5 칩에 사용되었다.

2.1.15. D1a (14나노)

2021년에 양산을 시작했다. EUV를 1개 레이어에만 적용하거나 사용하지 않은 경쟁사와 달리 공격적으로 5개 레이어에 EUV를 적용하였고, 그에 따라 수율 확보에 다소 어려움을 겪었다. TechInsights의 분석에 따르면 13.8나노급 공정이라고 한다.

2.1.16. D1b (12나노)

2023년에 양산을 시작했다. TechInsights의 분석에 따르면 12.5나노급 공정이라고 한다.

2.2. 제품

K 3 X X ...
K 4 X X ...

K : 삼성 메모리
3 : DRAM 패키지
4 : DRAM 다이

2.2.1. DDR2 SDRAM

K 4 T X X X X X X X - X X X X

파트명 해석

3. 제품 종류

T : DDR2

스테핑 일람

2.2.2. DDR3 SDRAM

K 4 B X X X X X X X - X X X X

파트명 해석

3. 제품 종류

B : DDR3

스테핑 일람

용량 \\ 공정	80 nm	68 nm	56 nm	46 nm	35 nm	28 nm	25 nm	20 nm
512 Mb	E-die
1 Gb	C-die	D-die	E-die	F-die	G-die		I-die
2 Gb		A-die	B-die	C-die	D-die	E-die	F-die
4 Gb				A-die	B-die	C-die	D-die	E-die

초록색: Row Hammer 취약점이 발견되지 않은 마지막 세대이다.

2.2.3. DDR4 SDRAM

K 4 A X X X X X X X - X X X X

파트명 해석

3. 제품 종류

A : DDR4

4. 다이 용량

4G : 4Gb
8G : 8Gb
AG : 16Gb
BG : 32Gb

8. 스테핑

B : B다이
C : C다이

11. 타이밍(CL)

P : CL15
R : CL17
T : CL19
V : CL21
W : CL22
Y : CL24
A : CL26

12. 동작 속도(MT/s)

B : 2133 MT/s
C : 2400 MT/s
D : 2666 MT/s
E : 2933 MT/s
F : 3200 MT/s

검은색: UDIMM/RDIMM/LRDIMM 지원 구성
파란색: RDIMM/LRDIMM 지원 구성

모듈 용량 \\ 랭크	단면(1R)	양면(2R)	4R	8R
2 GB	4Gb x16
4 GB	4Gb x8 8Gb x16	4Gb x16
8 GB	8Gb x8 16Gb x16 4Gb x4	4Gb x8 8Gb x16
16 GB	16Gb x8 8Gb x4	8Gb x8 16Gb x16 4Gb x4
32 GB	16Gb x4	16Gb x8 8Gb x4
64 GB		16Gb x4	16Gb(DDP) x4 16Gb(2-Hi 3DS) x4	16Gb(4-Hi 3DS) x4
128 GB			32Gb(DDP) x4 32Gb(2-Hi 3DS) x4	32Gb(4-Hi 3DS) x4
256 GB				64Gb(4-Hi 3DS) x4

스테핑 일람

용량 \\ 공정	25 nm	20 nm	1x nm	1y nm	1z nm
4 Gb	D-die	E-die	F-die		G-die
8 Gb		B-die	C-die		G-die
16 Gb			A-die	B-die	C-die
16 Gb (DDP)		B-die
32 Gb (DDP)			A-die	B-die?

4 Gb 칩

부품 번호	용량	비트	속도	동작 온도	패키지	상태
4Gb D-die(25 nm) 기반 제품군
K4A4G085WD-BCPB	4 Gb	8	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	단종
K4A4G085WD-BIPB	4 Gb	8	2133 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WD-BCRC	4 Gb	8	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	단종
K4A4G085WD-BIRC	4 Gb	8	2400 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	단종
K4A4G165WD-BCPB	4 Gb	16	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	단종
K4A4G165WD-BIPB	4 Gb	16	2133 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	단종
K4A4G165WD-BCRC	4 Gb	16	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	단종
K4A4G165WD-BIRC	4 Gb	16	2400 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	단종
4Gb E-die(20 nm) 기반 제품군
K4A4G045WE-BCRC	4 Gb	4	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G045WE-BCTD	4 Gb	4	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WE-BCPB	4 Gb	8	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WE-BCRC	4 Gb	8	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WE-BIRC	4 Gb	8	2400 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WE-BCTD	4 Gb	8	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WE-BITD	4 Gb	8	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A4G165WE-BCPB	4 Gb	16	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WE-BCRC	4 Gb	16	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WE-BIRC	4 Gb	16	2400 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WE-BCTD	4 Gb	16	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WE-BITD	4 Gb	16	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WE-BCWE	4 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WE-BIWE	4 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
4Gb F-die(1x nm) 기반 제품군
K4A4G085WF-BCTD	4 Gb	8	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WF-BITD	4 Gb	8	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WF-BCWE	4 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WF-BIWE	4 Gb	8	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A4G165WF-BCTD	4 Gb	16	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WF-BITD	4 Gb	16	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WF-BCWE	4 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WF-BIWE	4 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
4Gb G-die(1z nm) 기반 제품군
K4A4G085WG-BCWE	4 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WG-BIWE	4 Gb	8	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	Sample
K4A4G165WG-BCWE	4 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WG-BIWE	4 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	Sample

8 Gb 칩

부품 번호	용량	비트	속도	동작 온도	패키지	상태
8Gb B-die(20 nm) 기반 제품군
K4A8G045WB-BCPB	8 Gb	4	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	단종
K4A8G045WB-BCRC	8 Gb	4	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G045WB-BCTD	8 Gb	4	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WB-BCPB	8 Gb	8	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WB-BCRC	8 Gb	8	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WB-BIRC	8 Gb	8	2400 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WB-BCTD	8 Gb	8	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WB-BITD	8 Gb	8	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A8G165WB-BCPB	8 Gb	16	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WB-BCRC	8 Gb	16	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WB-BIRC	8 Gb	16	2400 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WB-BCTD	8 Gb	16	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WB-BITD	8 Gb	16	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WB-BCWE	8 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WB-BIWE	8 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
8Gb C-die(1x nm) 기반 제품군
K4A8G045WC-BCPB	8 Gb	4	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	단종
K4A8G045WC-BCRC	8 Gb	4	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	단종
K4A8G045WC-BCTD	8 Gb	4	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WC-BCPB	8 Gb	8	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	단종
K4A8G085WC-BCRC	8 Gb	8	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	단종
K4A8G085WC-BCTD	8 Gb	8	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WC-BITD	8 Gb	8	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WC-BCWE	8 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WC-BIWE	8 Gb	8	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A8G165WC-BCPB	8 Gb	16	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WC-BCRC	8 Gb	16	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WC-BCTD	8 Gb	16	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WC-BITD	8 Gb	16	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WC-BCWE	8 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	Sample
K4A8G165WC-BIWE	8 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
8Gb G-die(1z nm) 기반 제품군
K4A8G085WG-BCWE	8 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WG-BIWE	8 Gb	8	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	Sample
K4A8G165WG-BCWE	8 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WG-BIWE	8 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	Sample

16 Gb 칩

부품 번호	용량	비트	속도	동작 온도	패키지	상태
16Gb B-die(20 nm, DDP) 기반 제품군
K4AAG085WB-MCPB	16 Gb	8	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4AAG085WB-MCRC	16 Gb	8	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4AAG165WB-MCPB	16 Gb	16	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4AAG165WB-MCRC	16 Gb	16	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4AAG165WB-MCTD	16 Gb	16	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
16Gb A-die(1x nm) 기반 제품군
K4AAG085WA-BCTD	16 Gb	8	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4AAG085WA-BITD	16 Gb	8	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4AAG085WA-BCWE	16 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4AAG085WA-BIWE	16 Gb	8	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4AAG165WA-BCTD	16 Gb	16	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4AAG165WA-BITD	16 Gb	16	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
K4AAG165WA-BCWE	16 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4AAG165WA-BIWE	16 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
16Gb B-die(1y nm) 기반 제품군
K4AAG165WB-BCWE	16 Gb	4	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4AAG085WB-BCWE	16 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
16Gb C-die(1z nm) 기반 제품군
K4AAG085WC-BCWE	16 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	Sample
K4AAG085WC-BIWE	16 Gb	8	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	Sample
K4AAG165WC-BCWE	16 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4AAG165WC-BIWE	16 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	Sample

32 Gb 칩

부품 번호	용량	비트	속도	동작 온도	패키지	상태
32Gb A-die(1x nm, DDP) 기반 제품군
K4ABG085WA-MCTD	32 Gb	8	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4ABG085WA-MCWE	32 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4ABG165WA-MCTD	32 Gb	16	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4ABG165WA-MCWE	32 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
32Gb B-die(? nm, DDP) 기반 제품군
K4ABG165WB-MCWE	32 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산

2.2.4. DDR5 SDRAM

K 4 R X X X X X X X - X X X X

R : DDR5

스테핑 일람

용량 \\ 공정	1y nm	1z nm	1a nm	1b nm
16 Gb	B-die		D-die[P]	E-die
24 Gb			B-die
32 Gb				M-die

16 Gb 칩

부품 번호	용량	비트	속도	동작 온도	패키지	상태
K4RAH086VB-BIQK	16 Gb	2G x 8	4800 Mbps	-40 ~ 95 ℃	82 FBGA	양산
K4RAH165VB-BIQK	16 Gb	1G x 16	4800 Mbps	-40 ~ 95 ℃	106 FBGA	양산
K4RAH086VB-BCQK	16 Gb	2G x 8	4800 Mbps	0 ~ 85 ℃	82 FBGA	양산
K4RAH165VB-BCQK	16 Gb	1G x 16	4800 Mbps	0 ~ 85 ℃	106 FBGA	양산
K4RAH086VB-BCWM	16 Gb	2G x 8	5600 Mbps	0 ~ 85 ℃	82 FBGA	양산
K4RAH086VB-BIWM	16 Gb	2G x 8	5600 Mbps	-40 ~ 95 ℃	82 FBGA	양산
K4RAH086VP[D]-BCWM	16 Gb	2G x 8	5600 Mbps	0 ~ 85 ℃	82 FBGA	양산
K4RAH165VB-BCWM	16 Gb	1G x 16	5600 Mbps	0 ~ 85 ℃	106 FBGA	양산
K4RAH165VB-BIWM	16 Gb	1G x 16	5600 Mbps	-40 ~ 95 ℃	106 FBGA	양산
K4RAH165VP[D]-BCWM	16 Gb	1G x 16	5600 Mbps	0 ~ 85 ℃	106 FBGA	양산

24 Gb 칩

부품 번호	용량	비트	속도	동작 온도	패키지	상태
K4RHE086VB-BCWM	24 Gb	2G x 8	5600 Mbps	0 ~ 85 ℃	82 FBGA	양산
K4RHE165VB-BCWM	24 Gb	1G x 16	5600 Mbps	0 ~ 85 ℃	106 FBGA	양산

32 Gb 칩

부품 번호	용량	비트	속도	동작 온도	패키지	상태
K4RCH046VM-2CCM	32 Gb	4G x 4	5600 Mbps	0 ~ 85 ℃	78 FBGA	Sample
K4RBH046VM-BCWM	32 Gb	2G x 4	5600 Mbps	0 ~ 85 ℃	78 FBGA	Sample
K4RCH046VM-2CLP	32 Gb	4G x 4	6400 Mbps	0 ~ 85 ℃	78 FBGA	Sample
K4RBH046VM-BCCP	32 Gb	2G x 4	6400 Mbps	0 ~ 85 ℃	78 FBGA	Sample

2.2.5. LPDDR3 SDRAM

부품 번호	용량	비트	속도	전압	동작 온도	패키지	상태
K4E8E324EB-EGCC	8 Gb	x32	2133 Mbps	1.8 / 1.2 / 1.2 V	-25 ~ 85 ℃	178 FBGA	EOL
K4E8E324ED-EGCC	8 Gb	x32	2133 Mbps	1.8 / 1.2 / 1.2 V	-25 ~ 85 ℃	178 FBGA	EOL
K3QF3F30BM-AGCC	16 Gb	x32	2133 Mbps	1.8 / 1.2 / 1.2 V	-25 ~ 85 ℃	253 FBGA	EOL
K4E6E304EB-EGCC	16 Gb	x32	2133 Mbps	1.8 / 1.2 / 1.2 V	-25 ~ 85 ℃	178 FBGA	EOL
K4E6E304EC-EGCC	16 Gb	x32	2133 Mbps	1.8 / 1.2 / 1.2 V	-25 ~ 85 ℃	178 FBGA	EOL
K4E6E304ED-EGCC	16 Gb	x32	2133 Mbps	1.8 / 1.2 / 1.2 V	-25 ~ 85 ℃	178 FBGA	EOL
K3QF3F30BM-AGCF	16 Gb	x64	1866 Mbps	1.8 / 1.2 / 1.2 V	-25 ~ 85 ℃	253 FBGA	EOL
K4EBE304EB-EGCC	32 Gb	x32	2133 Mbps	1.8 / 1.2 / 1.2 V	-25 ~ 85 ℃	178 FBGA	EOL
K4EBE304EC-EGCC	32 Gb	x32	2133 Mbps	1.8 / 1.2 / 1.2 V	-25 ~ 85 ℃	178 FBGA	EOL
K4EBE304ED-EGCC	32 Gb	x32	2133 Mbps	1.8 / 1.2 / 1.2 V	-25 ~ 85 ℃	178 FBGA	EOL
K3QFAFA0CM-AGCF	64 Gb	x64	1866 Mbps	1.8 / 1.2 / 1.2 V	-25 ~ 85 ℃	253 FBGA	EOL

2.2.6. LPDDR4 SDRAM

부품 번호	용량	비트	속도	전압	동작 온도	패키지	상태
K4F4E3S4HF-GFCJ	4 Gb	x32	3733 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 95 ℃	200 FBGA	양산
K4F4E3S4HF-GUCJ	4 Gb	x32	3733 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 125 ℃	200 FBGA	양산
K4F8E304HB-MGCJ	8 Gb	x32	3733 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-25 ~ 85 ℃	200 FBGA	단종
K4F8E3S4HD-MGCL	8 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-25 ~ 85 ℃	200 FBGA	단종
K4F8E3S4HD-GFCL	8 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 95 ℃	200 FBGA	양산
K4F8E3S4HD-GUCL	8 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 125 ℃	200 FBGA	양산
K4F8E3S4HB-MFCJ	8 Gb	x32	3733 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 95 ℃	200 FBGA	단종
K4F2E3S4HA-TFCL	12 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 95 ℃	200 FBGA	양산
K4F2E3S4HA-GFCL	12 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 95 ℃	200 FBGA	양산
K4F2E3S4HA-GHCL	12 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 105 ℃	200 FBGA	양산
K4F2E3S4HM-MFCJ	12 Gb	x32	3733 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 95 ℃	200 FBGA	단종
K4F6E3S4HB-KFCL	16 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 95 ℃	200 FBGA	양산
K4F6E3S4HB-KHCL	16 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 105 ℃	200 FBGA	양산
K4F6E3S4HM-TFCL	16 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 95 ℃	200 FBGA	양산
K4F6E3S4HM-TUCL	16 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 125 ℃	200 FBGA	양산
K4F6E304HB-MGCJ	16 Gb	x32	3733 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-25 ~ 85 ℃	200 FBGA	단종
K4F6E3D4HM-MGCJ	16 Gb	x32	3733 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-25 ~ 85 ℃	200 FBGA	단종
K4F6E3D4HB-MFCJ	16 Gb	x32	3733 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 95 ℃	200 FBGA	단종
K4F6E3S4HM-GFCL	16 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 95 ℃	200 FBGA	양산
K4F6E3S4HM-GHCL	16 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 105 ℃	200 FBGA	양산
K4F6E3S4HM-GUCL	16 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 125 ℃	200 FBGA	양산
K4FHE3D4HM-MHCL	24 Gb	x32	3733 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 105 ℃	200 FBGA	단종
K4FBE3D4HM-TFCL	32 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 95 ℃	200 FBGA	양산
K4FBE3D4HM-GFCL	32 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 95 ℃	200 FBGA	양산
K4FBE3D4HM-GHCL	32 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 1.1 V	-40 ~ 105 ℃	200 FBGA	양산

2.2.7. LPDDR4X SDRAM

부품 번호	용량	비트	속도	전압	동작 온도	패키지	상태
K4U8E3S4AD-GFCL	8 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-40 ~ 95 ℃	200 FBGA	양산
K4U8E3S4AD-GHCL	8 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-40 ~ 105 ℃	200 FBGA	양산
K4U8E3S4AD-GUCL	8 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-40 ~ 125 ℃	200 FBGA	양산
K4U6E3S4AB-KFCL	16 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-40 ~ 95 ℃	200 FBGA	양산
K4U6E3S4AB-MGCL	16 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	200 FBGA	양산
K4U6E3S4AA-MGCR	16 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	200 FBGA	양산
K4U6E3S4AA-MGCL	16 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	200 FBGA	양산
K4UBE3D4AB-MGCL	32 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	200 FBGA	양산
K3UH5H50AM-JGCR	32 Gb	x64	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	432 FBGA	양산
K4UBE3D4AA-MGCR	32 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	200 FBGA	양산
K3UH5H50AM-JGCL	32 Gb	x64	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	432 FBGA	양산
K4UBE3D4AA-MGCL	32 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	200 FBGA	양산
K3UH5H50AM-KUCL	48 Gb	x64	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-40 ~ 125 ℃	556 FBGA	양산
K4UE3Q4AA-TFCL	48 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-40 ~ 95 ℃	200 FBGA	양산
K3UH6H60BM-EGCL	48 Gb	x64	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	376 FBGA	단종
K3UH6H60BM-AGCL	48 Gb	x64	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	556 FBGA	단종
K3UH7H70AM-JGCR	64 Gb	x64	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	432 FBGA	양산
K4UCE3Q4AA-MGCR	64 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	200 FBGA	양산
K3UH7H70AM-EGCL	64 Gb	x64	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	376 FBGA	단종
K3UH7H70AM-JGCL	64 Gb	x64	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	432 FBGA	양산
K4UCE3Q4AA-MGCL	64 Gb	x32	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	200 FBGA	양산
K3UH7H70AM-AGCL	64 Gb	x64	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	556 FBGA	양산
K3UHAHA0AM-AGCL	96 Gb	x64	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	556 FBGA	단종
K3UH8HB0BM-EGCL	96 Gb	x64	4266 Mbps	1.8 / 1.1 / 0.6 V	-25 ~ 85 ℃	376 FBGA	단종

2.2.8. LPDDR5 SDRAM

부품 번호	용량	비트	속도	전압	동작 온도	패키지	상태
K3LBKBK80BM-MGCP	32 Gb	x32	6400 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	315 FBGA	양산
K3LK2K20BM-BGCCN	48 Gb	x64	5500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	단종
K3LK7K70BM-JGCCP	64 Gb	x64	6400 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	441 FBGA	양산
K3LK7K70BM-BGCCP	64 Gb	x64	6400 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	양산
K3LCKCKC0BM-MGCP	64 Gb	x32	6400 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	315 FBGA	양산
K3LK3K30EM-BGCCN	64 Gb	x64	5500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	단종
K3LK3K30EM-CGCCN	64 Gb	x64	5500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	436 FBGA	단종
K3LK4K40CM-BGCCP	96 Gb	x64	6400 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	양산
K3LK4K40CM-JHCCP	96 Gb	x64	6400 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 105 ℃	441 FBGA	양산
K3LK4K40CM-JUCCP	96 Gb	x64	6400 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 125 ℃	441 FBGA	양산
K3LK4K40BM-BGCCN	96 Gb	x64	5500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	단종
K3LK4K40BM-CGCCN	96 Gb	x64	5500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	436 FBGA	단종
K3LK6K60BM-JGCCP	128 Gb	x64	6400 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	441 FBGA	양산
K3LK6K60BM-BGCCP	128 Gb	x64	6400 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	양산
K3LKD0KD0CM-BGCCP	144 Gb	x64	6400 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	양산

2.2.9. LPDDR5X SDRAM

부품 번호	용량	비트	속도	전압	동작 온도	패키지	상태
K3KL6L60GM-MHCT	16 Gb	x32	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	315 FBGA	양산
K3KL6L60GM-MFCT	16 Gb	x32	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	315 FBGA	양산
K3KL6L60GM-MUCU	16 Gb	x32	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	315 FBGA	Sample
K3KLZ0HZ0HM-MHCU	16 Gb	x32	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 125 ℃	315 FBGA	Sample
K3KLZ1HZ1HM-MHCU	16 Gb	x32	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 105 ℃	531 FBGA	Sample
K3KL7L70EM-MGCT	24 Gb	x32	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	315 FBGA	양산
K3KL7L70EM-MFCT	24 Gb	x32	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	315 FBGA	Sample
K3KL7L70EM-MUCU	24 Gb	x32	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	315 FBGA	Sample
K3KL7L70HM-MHCU	24 Gb	x32	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 125 ℃	315 FBGA	Sample
K3KL7L70GM-MHCT	24 Gb	x32	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 105 ℃	315 FBGA	양산
K3KL1L10GM-JGCT	32 Gb	x64	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	441 FBGA	양산
K3KL1L10GM-JFCT	32 Gb	x64	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	441 FBGA	양산
K3KL1L10GM-JUCT	32 Gb	x64	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 125 ℃	441 FBGA	양산
K3KL8L80DM-MHCU	32 Gb	x32	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	315 FBGA	Sample
K3KL8L80DM-MUCU	32 Gb	x32	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 125 ℃	315 FBGA	Sample
K3KL8L80QM-MHCT	32 Gb	x32	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 105 ℃	315 FBGA	양산
K3KL8L80QM-MFCT	32 Gb	x32	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	315 FBGA	양산
K3KLF0HF0HM-JUCT	32 Gb	x64	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 125 ℃	441 FBGA	Sample
K3KLF0HF0HM-JHCU	32 Gb	x64	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 105 ℃	441 FBGA	Sample
K3KL1L10GM-MGCT	32 Gb	x64	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	441 FBGA	양산
K3KLD0LD0EM-MHCU	48 Gb	x32	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	315 FBGA	Sample
K3KLD0LD0EM-MUCU	48 Gb	x32	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 105 ℃	315 FBGA	Sample
K3KLD0LD0EM-JGCT	48 Gb	x32	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	315 FBGA	양산
K3KL2L20DM-MUCU	48 Gb	x64	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	561 FBGA	Sample
K3KL3L30DM-EFCU	64 Gb	x64	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 125 ℃	561 FBGA	Sample
K3KL3L30DM-JUCU	64 Gb	x64	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	441 FBGA	Sample
K3KL3L30DM-JHCU	64 Gb	x64	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 105 ℃	441 FBGA	Sample
K3KL3L30EM-BGSCV	64 Gb	x64	9600 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 125 ℃	561 FBGA	Sample
K3KL3L30QM-JHCT	64 Gb	x64	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	양산
K3KL3L30QM-JUCT	64 Gb	x64	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 125 ℃	441 FBGA	양산
K3KL9L90DM-MHCU	64 Gb	x32	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	315 FBGA	양산
K3KL9L90DM-MFCT	64 Gb	x32	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	315 FBGA	Sample
K3KL9L90QM-MUCU	64 Gb	x32	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 125 ℃	315 FBGA	Sample
K3KL9L90QM-MHCT	64 Gb	x32	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 105 ℃	315 FBGA	양산
K3KL9L90QM-MUCT	64 Gb	x32	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 125 ℃	315 FBGA	양산
K3KL3L30DM-BGCU	64 Gb	x64	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	양산
K3KL3L30QM-MGCT	64 Gb	x32	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	315 FBGA	양산
K3KL9L90CM-MGCT	64 Gb	x64	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	양산
K3KL3L30CM-BGCT	64 Gb	x64	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	양산
K3KL3L30CM-JGCT	64 Gb	x64	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	441 FBGA	양산
K3KL4L40EM-JHCU	96 Gb	x64	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 105 ℃	441 FBGA	Sample
K3KL4L40EM-JUCU	96 Gb	x64	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 125 ℃	441 FBGA	Sample
K3KL4L40EM-BGCU	96 Gb	x64	9600 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 125 ℃	496 FBGA	Sample
K3KL4L40DM-BGCU	96 Gb	x64	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	양산
K3KL4L40DM-JHCU	96 Gb	x64	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	441 FBGA	Sample
K3KL5L50DM-JFCLT	128 Gb	x64	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	양산
K3KL5L50DM-BGCU	128 Gb	x64	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	441 FBGA	Sample
K3KL5L50DM-JHCU	128 Gb	x64	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 105 ℃	441 FBGA	Sample
K3KL5L50DM-JUCV	128 Gb	x64	9600 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 125 ℃	441 FBGA	Sample
K3KL5L50QM-JFCT	128 Gb	x64	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 95 ℃	496 FBGA	양산
K3KL5L50QM-JHCT	128 Gb	x64	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	441 FBGA	양산
K3KLALA0DM-MFCLT	128 Gb	x32	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 125 ℃	315 FBGA	Sample
K3KLALA0DM-MHCU	128 Gb	x32	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 95 ℃	315 FBGA	양산
K3KLALA0DM-MUCU	128 Gb	x32	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-40 ~ 105 ℃	315 FBGA	Sample
K3KL5L50DM-BGCU	128 Gb	x64	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	양산
K3KL5L50QM-MGCT	128 Gb	x32	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	315 FBGA	양산
K3KLALA0CM-JGCT	128 Gb	x64	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	양산
K3ELE0LE0DM-BGCU	144 Gb	x64	8533 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	양산
K3ELE0LE0CM-BGCT	144 Gb	x64	7500 Mbps	1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V	-25 ~ 85 ℃	496 FBGA	양산

2.2.11. HBM

2.2.11.1. HBM2

Flarebolt

부품 번호	용량	비트	속도	응답 속도	패키지	상태
KHA843801B-MC12	4 GB	1024	2.0 Gbps	32 ms	MPGA	단종
KHA883901B-MC12	8 GB	1024	2.0 Gbps	32 ms	MPGA	단종

Aquabolt

부품 번호	용량	비트	속도	응답 속도	패키지	상태
KHA844801X-MC12	4 GB	1024	2.0 Gbps	32 ms	MPGA	양산
KHA844801X-MC13	4 GB	1024	2.4 Gbps	32 ms	MPGA	양산
KHA844801X-MN12	4 GB	1024	2.0 Gbps	32 ms	MPGA	양산
KHA844801X-MN13	4 GB	1024	2.4 Gbps	32 ms	MPGA	양산
KHA884901X-MC12	8 GB	1024	2.0 Gbps	32 ms	MPGA	양산
KHA884901X-MC13	8 GB	1024	2.4 Gbps	32 ms	MPGA	양산
KHA884901X-MN12	8 GB	1024	2.0 Gbps	32 ms	MPGA	양산
KHA884901X-MN13	8 GB	1024	2.4 Gbps	32 ms	MPGA	양산

2.2.11.2. HBM2E

Flashbolt

부품 번호	용량	비트	속도	응답 속도	패키지	상태
KH4489106-MC16	8 GB	1024	32.2 Gbps	32 ms	IMPGA	양산
KH4489106-MC17	8 GB	1024	33.6 Gbps	32 ms	IMPGA	양산
KH4489106-JC16	16 GB	1024	32.2 Gbps	32 ms	IMPGA	양산
KH4489106-MC16	16 GB	1024	32.2 Gbps	32 ms	IMPGA	양산
KH4489106-MC17	16 GB	1024	33.6 Gbps	32 ms	IMPGA	양산
KH4489106-JC17	16 GB	1024	33.6 Gbps	32 ms	IMPGA	양산

2.2.11.3. HBM3

Icebolt

부품 번호	용량	비트	속도	응답 속도	패키지	상태
KHBA84A03D-MC1H	16 GB	1024	6.4 Gbps	32 ms	MPGA	양산
KHBA84A03C-MC1H	16 GB	1024	6.4 Gbps	32 ms	MPGA	양산
KHBAC4A03D-MC1H	24 GB	1024	6.4 Gbps	32 ms	MPGA	양산
KHBAC4A03C-MC1H	24 GB	1024	6.4 Gbps	32 ms	MPGA	Sample

3. 플래시 메모리

3.1. 평면 제조 공정

3.1.1. 90나노

3.1.2. 70나노

2005년에 양산을 시작했다.

3.1.3. 60나노

2006년에 양산을 시작했다.

3.1.4. 50나노

2007년에 양산을 시작했다.

3.1.5. 40나노

3.1.6. 32나노

2009년에 양산을 시작했고, 같은 해 11월 세계 최초로 TLC 양산을 시작했다. SADP 더블 패터닝이 도입되었다. (기존 공정은 LELE 더블 패터닝 사용)

3.1.7. 27나노

2010년에 32Gb MLC 양산을 시작했고, 같은 해 10월 64Gb TLC 양산을 시작했다. Toggle DDR 1.0 방식을 적용하였다.

3.1.8. 21나노

2011년에 양산을 시작했다.

3.1.9. 19나노

2012년에 64Gb MLC 양산을 시작했고, 이어서 2013년에 128Gb TLC 양산을 시작했다.

3.1.10. 16나노

2014년에 양산을 시작했다. 평면 낸드 중 TLC가 출시된 마지막 세대이다. V낸드 도입에 따라 빠르게 도태되었다.

3.1.11. 14나노

2015년에 128Gb MLC 양산을 시작했다. 평면 낸드의 마지막 세대이다. 쿼드 패터닝이 도입되었다. 셀 스트링의 길이를 늘리고 array의 수를 줄여 면적을 절감하였다. 직전 세대인 16나노와 달리 TLC는 발표되지 않았으며, 이 이후로는 경제성, 안정성, 성능 등 여러 면에서 우수한 V낸드 도입에 따라 평면 낸드는 도태되었다.

3.2. 적층 제조 공정

3.2.1. V1(24단)

2013년에 양산을 시작했다. 세계 최초로 적층 기술이 도입되었다.

3.2.2. V2(32단)

2014년에 128Gb MLC 양산을 시작했다. 같은 해 8월 128Gb TLC 양산을 시작했다. 24단 생산 설비를 재활용하였다.

3.2.3. V3(48단)

2015년에 256Gb TLC 양산을 시작했다.

3.2.4. V4(64단)

2016년 말 256Gb TLC 양산을 시작했다. 9-Hole 구조를 도입하였고, CTF 박막의 특성을 개선하여 셀 크기를 줄이면서도 신뢰성을 끌어올렸다. 최초로 QLC가 도입되었다.

3.2.5. V5(92단)

2018년에 양산을 시작했다. 회로 설계를 개선하여 동작 속도를 높였고 ALD 텅스텐 공정을 도입하였다.

3.2.6. V6(128단)

2019년에 양산을 시작했다. 싱글 스택을 사용하는 마지막 공정이다. 한 번에 식각하는 층 수가 늘어남에 따라 발생하는 상부와 하부의 직경 차이로 발생하는 셀의 특성 차이에 맞게 전압을 차등 적용함으로써 신뢰성 저하를 최소화한 것이 특징이다. 여담으로 Cell on Peri를 적용한 버전이 존재하는 것으로 보인다. #

3.2.6.1. V6 Prime(133단)

I/O 속도를 1.2Gbps → 1.6Gbps로 높인 것이 특징이다.

3.2.7. V7(176단)

2021년에 양산을 시작했다. 더블 스택이 도입된 최초의 공정이다. Cell-on-Peri 기술을 도입해 밀도를 크게 높인 것이 특징이다. 그 외에 특기할 사항으로는 칩 내부의 plane 수를 2 → 4로 늘려 program throughput을 개선시킨 것이 있다.

3.2.8. V8(236단)

2022년에 양산을 시작했다.

3.2.9. V9(286단)

2024년에 양산을 시작했다.
더블 스택을 사용하는 마지막 공정이다.

3.3. 제품

공정

셀

용량

I/O

속도 (MB/s)

레이턴시

내부 구성

다이 크기
(mm²)

밀도[4]
(Gb/mm²)

CoP

비고

인터페이스

속도

읽기

쓰기

t_R
(μs)

t_BERS
(ms)

Plane
수

페이지

14nm

MLC

128 Gb

Toggle 3.0

0.8 Gbps

16 KB

0.98

MLC

128 Gb

Toggle 3.0

667 Mbps

3.5

8 KB

0.96

TLC

128 Gb

Toggle ?

1.0 Gbps

3.5

16 KB

68.9

1.86

TLC

256 Gb

Toggle ?

1.0 Gbps

3.5

16 KB

97.6

2.62

TLC

512 Gb

Toggle ?

1.0 Gbps

3.5

16 KB

3.98

QLC

1 Tb

Toggle ?

1.0 Gbps

145

3.5

16 KB

5.63

QLC

1 Tb

Toggle 4.0

1.2 Gbps

110

3.5

7.53

TLC

512 Gb

Toggle 4.0

1.2 Gbps

820

3.5

16 KB

5.04

TLC

512 Gb

Toggle 5.0

2.0 Gbps

1840

184

3.5

16 KB

8.50

TLC

1 Tb

Toggle 5.0

2.4 Gbps

1640

164

3.5

16 KB

11.55

TLC

1 Tb

Toggle 5.1

3.2 Gbps

QLC

1 Tb

Toggle 5.1

3.2 Gbps

16 KB

28.50

[P] 실제 제품에 인쇄된 파트명은 D이나, 전산상으로는 P로 되어 있고, 러시아 사이트에 올라온 삼성 DRAM 로드맵에도 P-die로 적혀 있는 것을 볼 때 어딘가에서 오타가 난 것으로 보인다.[D] 삼성의 DDR5 모듈에 탑재된 칩에 인쇄된 파트명이 K4RAH086VD-BCWM인 것으로 보아 전산상 잘못 등록된 것으로 보인다.[D] [4] 테스트용 다이와 양산 다이의 정보가 섞여 있으므로 주의 바람

삼성전자/메모리

1. 개요

2. DRAM

2.1. 제조 공정

2.1.1. 2.4미크론

2.1.2. 0.35미크론

2.1.3. 90나노

2.1.4. 80나노

2.1.5. 68나노

2.1.6. 56나노

2.1.7. 46나노

2.1.8. 35나노

2.1.9. 28나노

2.1.10. 25나노

2.1.10.1. 23나노?

2.1.11. 20나노

2.1.12. D1x (18나노)

2.1.13. D1y (17나노)

2.1.14. D1z (15나노)

2.1.14.1. D1z (EUV)

2.1.15. D1a (14나노)

2.1.16. D1b (12나노)

2.1.17. D1c

2.1.18. D1d

2.2. 제품

2.2.1. DDR2 SDRAM

2.2.2. DDR3 SDRAM

2.2.3. DDR4 SDRAM

2.2.4. DDR5 SDRAM

2.2.5. LPDDR3 SDRAM

2.2.6. LPDDR4 SDRAM

2.2.7. LPDDR4X SDRAM

2.2.8. LPDDR5 SDRAM

2.2.9. LPDDR5X SDRAM

2.2.10. GDDR6

2.2.11. HBM

2.2.11.1. HBM2

2.2.11.2. HBM2E

2.2.11.3. HBM3

3. 플래시 메모리

3.1. 평면 제조 공정

3.1.1. 90나노

3.1.2. 70나노

3.1.3. 60나노

3.1.4. 50나노

3.1.5. 40나노

3.1.6. 32나노

3.1.7. 27나노

3.1.8. 21나노

3.1.9. 19나노

3.1.10. 16나노

3.1.11. 14나노

3.2. 적층 제조 공정

3.2.1. V1(24단)

3.2.2. V2(32단)

3.2.3. V3(48단)

3.2.4. V4(64단)

3.2.5. V5(92단)

3.2.6. V6(128단)

3.2.6.1. V6 Prime(133단)

3.2.7. V7(176단)

3.2.8. V8(236단)

3.2.9. V9(286단)

3.2.10. V10

3.3. 제품

분류